【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅粉料合成，尤其涉及一种碳化硅粉料合成装置及方法。
技术介绍
1、碳化硅(sic)作为第三代半导体材料的典型代表，具有硬度高(仅次于金刚石)、热导率高、热膨胀系数低、禁带宽度大、饱和电子漂移速度高，临界击穿场强大、化学稳定性高、抗辐射能力强等优异性能。这些优异的性能使sic半导体器件能在高温、高压、强辐射的极端环境下工作，在电力电子和微波通信领域具有广阔的应用前景。
2、碳化硅粉料在合成过程中，需要先将碳粉、硅粉和结合剂按一定比例混合，再将混合后的物料导入坩埚内进行加热，待冷却后，取出碳化硅粉体进行研磨，而现有的合成装置在使用时，其碳粉、硅粉和结合剂多为一次性加入，后续难以混合均匀，同时碳粉、硅粉和结合剂之间难以实现配比，使用不便，同时现有装置中的搅动方式较为单一，碳粉、硅粉和结合剂的混合效果一般，因此我们提出一种碳化硅粉料合成装置及方法
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种碳化硅粉料合成装置及方法。
2、...
【技术保护点】
1.一种碳化硅粉料合成装置，包括箱体(1)，其特征在于，所述箱体(1)的内部设置有混合腔(10)，所述混合腔(10)的内部固定安装有隔板(19)，所述隔板(19)上贯穿设置有与其转动连接的内筒(20)，所述内筒(20)的外侧壁上固定安装有位于隔板(19)上方的第一锥齿轮(11)，所述混合腔(10)的两侧均设置有导料腔(15),两个所述导料腔(15)上均开设有与混合腔(10)相连通且位于隔板(19)下方的连通孔(21)，所述内筒(20)的两侧均设置有导料组件，两个所述导料组件的下方均设置有导剂组件，两个所述导料组件的下方均设置有送料组件，所述混合腔(10)内设置有第一混...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅粉料合成装置，包括箱体(1)，其特征在于，所述箱体(1)的内部设置有混合腔(10)，所述混合腔(10)的内部固定安装有隔板(19)，所述隔板(19)上贯穿设置有与其转动连接的内筒(20)，所述内筒(20)的外侧壁上固定安装有位于隔板(19)上方的第一锥齿轮(11)，所述混合腔(10)的两侧均设置有导料腔(15),两个所述导料腔(15)上均开设有与混合腔(10)相连通且位于隔板(19)下方的连通孔(21)，所述内筒(20)的两侧均设置有导料组件，两个所述导料组件的下方均设置有导剂组件，两个所述导料组件的下方均设置有送料组件，所述混合腔(10)内设置有第一混合组件，所述内筒(20)上设置有与第一混合组件相连接的第二混合组件。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅粉料合成装置，其特征在于，所述导料组件包括转动连接在导料腔(15)两侧内壁之间的第一转轴(13)，所述第一转轴(13)的外侧壁上固定安装有导料块(14)，所述导料块(14)上开设有多个导料槽(23)，所述导料腔(15)的两侧内壁之间固定安装有两个挡片(22)，所述导料块(14)位于两个挡片(22)之间，所述箱体(1)的顶部固定安装有位于导料块(14)正上方的储料盒(2)，所述第一转轴(13)的一端贯穿导料腔(15)的一侧内壁并固定安装有位于混合腔(10)内的第二锥齿轮(12)，所述第二锥齿轮(12)与第一锥齿轮(11)啮合连接，所述第一转轴(13)的另一端贯穿导料腔(15)的另一侧内壁并固定安装有位于导料腔(15)外的凸轮(3)。
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅粉料合成装置，其特征在于，所述导剂组件包括设置在凸轮(3)下方且与箱体(1)的侧壁固定连接的矩形盒(5)，所述矩形盒(5)的顶部贯穿设置有与其滑动连接的连杆(4)，所述连杆(4)位于矩形盒(5)外的一端固定安装有与凸轮(3)相抵的抵块(9)，所述连杆(4)位于矩形盒(5)内的一端固定安装有与矩形盒(5)内壁滑动连接的强磁滑块(25)，所述强磁滑块(25)和矩形盒(5)的内顶部之间固定连接有拉簧(24)，所述矩形盒(5)上设置有出剂管(6)和进剂管(7)，所述箱体(1)上设置有储剂箱(8)，所述出剂管(6)和进剂管(7)与矩形盒(5)相连通的一端均位于强磁滑块(25)的下方，所述出剂管(6)和进剂管(7)内均设置有单向阀，所述进剂管(7)远离矩形盒(5)的一端与储剂箱(8)相连通，所述出剂管(6)远离矩形盒(5)的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：王学强，王业星，刘建强，李修凯，李聪聪，
申请(专利权)人：山东冠华新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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