一种碳化硅半导体材料热处理设备制造技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅半导体材料热处理设备，包括底座和循环导流系统，所述底座上设有转动台，转动台上安装有周向均匀分布的加热机构，所述加热机构包括加热座，所述加热座安装在转动台上，加热座中连接有排气管，所述加热座上还安装有升降杆，升降杆上端安装有进气管，进气管的排气端安装有气体匀散系统，气体匀散系统的外侧设有上盖，所述循环导流系统用于将排气管排气端和进气管连接，所述进气管还连接有补气系统。通过气体匀散系统和循环导流系统的设计结构，使得碳化硅半导体表面受到热处理所需的气体的冲击后，能够均匀流畅的向外流出，避免出现回流、涡流现象，提高氧化层的生成品质和氧化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体生产，具体为一种碳化硅半导体材料热处理设备。

技术介绍

1、对碳化硅晶片进行高温氧化处理时。目前的高温氧化设备在温度控制、氧含量控制和颗粒控制等方面存在一定的缺陷，例如工艺腔室中可能存在局部过热或冷点，氧含量局部过高或过低等问题。另外，在对碳化硅晶片表面进行气体冲击时，冲击后的气体会沿着碳化硅晶片表面向外流动，向外流动的气体会影响新的向碳化硅晶片表面冲击的气体与碳化硅晶片表面之间反应，导致热处理碳化硅晶片表面时生成的氧化层，其表面各处的氧化层的同步生成性较差，使得最终生成的氧化层的内部常常出现微弱痕线，甚至是微弱裂痕或微弱缝隙，从而降低氧化层的品质。

2、因此，有必要提供一种碳化硅半导体材料热处理设备，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

技术实现思路

1、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种碳化硅半导体材料热处理设备，包括底座和循环导流系统，所述底座上设有转动台，转动台上安装有周向均匀分布的加热机构，所述加热机构包括加热座，所述加热座安装在转动台上，加热座中设有下环腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅半导体材料热处理设备，包括底座（1）和循环导流系统（36），所述底座（1）上设有转动台（2），转动台（2）上安装有周向均匀分布的加热机构（3），其特征在于，所述加热机构（3）包括加热座（31），所述加热座（31）安装在转动台（2）上，加热座（31）中设有下环腔（313），下环腔（313）中安装有托座（311），托座（311）上安装有加热盘（312），所述下环腔（313）中心下端连接有下喇叭腔（314），下喇叭腔（314）下端连接有排气管（32），所述加热座（31）上还安装有升降杆（35），升降杆（35）上端安装有进气管（34），进气管（34）的排气端安装有气体匀散系统（39...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅半导体材料热处理设备，包括底座（1）和循环导流系统（36），所述底座（1）上设有转动台（2），转动台（2）上安装有周向均匀分布的加热机构（3），其特征在于，所述加热机构（3）包括加热座（31），所述加热座（31）安装在转动台（2）上，加热座（31）中设有下环腔（313），下环腔（313）中安装有托座（311），托座（311）上安装有加热盘（312），所述下环腔（313）中心下端连接有下喇叭腔（314），下喇叭腔（314）下端连接有排气管（32），所述加热座（31）上还安装有升降杆（35），升降杆（35）上端安装有进气管（34），进气管（34）的排气端安装有气体匀散系统（39），气体匀散系统（39）的外侧设有上盖（33），上盖（33）中设有与下环腔（313）对应的上环腔（331），所述循环导流系统（36）用于将排气管（32）排气端和进气管（34）连接，所述进气管（34）还连接有补气系统（38）；

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅半导体材料热处理设备，其特征在于，所述导流孔（3921）的孔径与匀散腔单元的大小成正比。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅半导体材料热处理设备，其特征在于，与所述分隔条板（3964）对应的上环腔（331）腔壁上设有分隔弧板（332）。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅半导体材料热处理设备，其特征在于，所述旋转组件（37）包括安装在排气管（3...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丹，吴宗轩，
申请(专利权)人：无锡邑文微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：