一种IGBT模块通用老化测试工装制造技术

本发明专利技术公开了一种IGBT模块通用老化测试工装，包括用来给被测IGBT模块散热的散热器，所述散热器的上表面固定有用来连接老化测试装置进行信号传输的下PCB板，所述下PCB板在散热器对应位置处开设有用来放置IGBT模块的通孔，所述下PCB板通孔的上方还设有用来卡接上PCB板使其能够水平移动的环氧导轨，所述环氧导轨通过固定在下PCB板上的螺杆进而能够上下移动，且环氧导轨上还开设有能够让上PCB板与被测IGBT模块通电端子相连接的通孔，所述上PCB板与下PCB板相互连通，且下PCB板上还安装有用来监测被测IGBT模块温度的温度传感器以及防止回路电流超限的低值保险丝。本发明专利技术的有益效果是：本发明专利技术能够适用于不同封装的产品且在老化测试过程中能够对被测产品进行过温过流保护。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种老化测试工装，尤其涉及一种igbt模块通用老化测试工装。

技术介绍

1、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)是第三代电力电子器件中最具先进性的功率半导体器件，具有高频率、高电压、大电流等优点，是柔性交直流输电、新能源发电、电能质量治理等领域的核心器件，目前已在相关行业得到广泛应用。igbt的可靠性测试有多种方式，通电老化测试就是其中之一，通电老化测试是一种高效的、加速的可靠性测试手段,可以通过环境-电应力的综合作用来加速器件内部的物理、化学反应过程，使得器件内部的各种潜在缺陷及早暴露，进而剔除早期失效产品，利用通电老化测试能检测出igbt模块的封装工艺、芯片工艺及芯片和器件设计之间的缺陷，如离子沾污、芯片裂纹、衬板暗伤、焊接不良和氧化层缺陷等。

2、现有的通电老化技术是将igbt模块置于高温或高温高湿的环境中，同时集电极和发射极或栅极和发射极之间加上偏压，使得模块内部产生漏电流，持续的环境应力和电应力作用下，能够加速产品的老化，达到可靠性测试的目的，但是在现有的ig本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT模块通用老化测试工装，包括用来给被测IGBT模块散热的散热器(4)，其特征在于：所述散热器(4)的上表面固定有用来连接老化测试装置进行信号传输的下PCB板(3)，所述下PCB板(3)在散热器(4)对应位置处开设有用来放置IGBT模块的通孔，所述下PCB板(3)通孔的上方还设有用来卡接上PCB板(1)使其能够水平移动的环氧导轨(2)，所述环氧导轨(2)通过固定在下PCB板(3)上的螺杆进而能够上下移动，且环氧导轨(2)上还开设有能够让上PCB板(1)与被测IGBT模块通电端子相连接的通孔，所述上PCB板(1)与下PCB板(3)相互连通，且下PCB板(3)上还安装有用来监测被...

【技术特征摘要】

1.一种igbt模块通用老化测试工装，包括用来给被测igbt模块散热的散热器(4)，其特征在于：所述散热器(4)的上表面固定有用来连接老化测试装置进行信号传输的下pcb板(3)，所述下pcb板(3)在散热器(4)对应位置处开设有用来放置igbt模块的通孔，所述下pcb板(3)通孔的上方还设有用来卡接上pcb板(1)使其能够水平移动的环氧导轨(2)，所述环氧导轨(2)通过固定在下pcb板(3)上的螺杆进而能够上下移动，且环氧导轨(2)上还开设有能够让上pcb板(1)与被测igbt模块通电端子相连接的通孔，所述上pcb板(1)与下pcb板(3)相互连通，且下pcb板(3)上还安装有用来监测被测igbt模块温度的温度传感器以及防止回路电流超限的低值保险丝(5)。

2.根据权利要求1所述的一种igbt模块通用老化测试工装，其特征在于：所述上pcb板(1)上设有矩阵排列的通孔，通孔位置可接探针进而连接被测igbt模块的通电端子。

3.根据权利要求1所述的一种igbt模块通用老化测试工装，其特征在于：所述上pcb板(1)与下pcb板(3)之间通过接插件进行连接。

4.根据权利要求1所述的一种i...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小刚，吴畅，
申请(专利权)人：南京南瑞半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：