半导体器件及其制造方法技术

技术编号:42612397 阅读:21 留言:0更新日期:2024-09-03 18:19
本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法,半导体器件包括:第一基底和第二基底;所述第一基底包括具有正面和背面的第一衬底,所述第一衬底正面形成有第一焊盘,所述第一衬底的正面与背面相背;所述第二基底包括具有正面和背面的第二衬底,所述第二衬底背面形成有第一应力层和第一保护层,所述第一应力层形成于所述第二衬底的背面,所述第一保护层形成于所述第一应力层远离所述第二衬底的表面,所述第二衬底的正面与背面相背;所述第二基底放置在所述第一基底上。本发明专利技术的技术方案能够避免焊盘被腐蚀,进而避免产生芯片可靠性问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,特别涉及一种半导体器件及其制造方法


技术介绍

1、目前3d-ic工艺进展地如火如荼,其“超越摩尔定律”的构想也被业界普遍接受和认可。3d-ic工艺的特点是:对晶圆的弯曲度值要求很高;若晶圆的弯曲度值不满足3d-ic工艺的要求,在晶圆键合之后会形成“键合气泡(bonding bubble)”缺陷,且在后续高温工艺中,弯曲度值会进一步升高,从而导致发生电弧(arcing)和晶圆报废。

2、对于晶圆弯曲度的改善,业界普遍做法是在晶圆正面或背面生长一层氮化硅薄膜。弯曲度值是不同介质薄膜应力的宏观表现;氮化硅薄膜不仅可以调整应力大小,而且可以调整应力的方向(压应力和拉应力)。

3、但是,在晶圆背面形成氮化硅薄膜时,由于晶圆受热不均,且反应气体从下向上流向晶圆背面,导致形成的氮化硅薄膜不致密且含有较多微小气孔。因此,后续在对晶圆进行湿法清洗的过程中,晶圆背面的氮化硅薄膜很容易吸附清洗溶液中的氟离子。如图1所示,当多片晶圆10被装入晶圆盒13中后,上层晶圆10的背面正对下层晶圆10的正面,上层晶圆10背面的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件,其特征在于,包括:第一基底和第二基底;

2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第二基底的第一保护层用于防止来自所述第二基底的物质与所述第一基底的第一焊盘发生反应。

3.如权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述第二基底的第一应力层具有气孔,所述来自所述第二基底的物质为所述第二基底的第一应力层吸附的物质。

4.如权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,所述第二基底经过清洗工艺,所述来自所述第二基底的物质为所述第二基底的第一应力层吸附的来自所述清洗工艺中的离子。

5.如权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,其特征在于,包括:第一基底和第二基底;

2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第二基底的第一保护层用于防止来自所述第二基底的物质与所述第一基底的第一焊盘发生反应。

3.如权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述第二基底的第一应力层具有气孔,所述来自所述第二基底的物质为所述第二基底的第一应力层吸附的物质。

4.如权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,所述第二基底经过清洗工艺,所述来自所述第二基底的物质为所述第二基底的第一应力层吸附的来自所述清洗工艺中的离子。

5.如权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,所述清洗工艺包括氢氟酸溶液,所述第二基底的第一应力层吸附所述氢氟酸溶液中的氟离子。

6.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第二基底的第一应力层用于调整所述第二衬底的弯曲值。

7.如...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨帆周俊罗清威
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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