【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及声表面波器件和射频前端模组。
技术介绍
1、声表面波(surface acoustic wave，saw)器件是一种将电信号转换为声信号或将声信号转换为电信号的器件。声表面波器件通常包括压电层以及形成于压电层上的叉指换能器(interdigital transducer，idt)，叉指换能器可用于将电信号转化为声信号或将声信号转化为电信号。
2、晶圆级封装(wafer level packaging,wlp)是一种先进的封装技术，使得声表面波器件可以朝向“短小轻薄”的方向发展。然而现有wlp封装还是存在着容易塌陷，可靠性低、或者封装结构占用面积多，不利于器件小型化的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提出了声表面波器件和射频前端模组。
2、本专利技术第一方面提出的声表面波器件，包括：
3、压电层，包括第一表面；
4、至少两个谐振单元，设置于所述压电层的第一表面；
5、盖体，包括围壁和顶壁，所...
【技术保护点】
1.一种声表面波器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述支撑结构还包括第三支撑部，所述第三支撑部设置于所述压电层的第一表面，所述第二支撑部的第一端与所述第三支撑部连接。
3.如权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于，所述声表面波器件还包括接地走线，所述接地走线设置于所述压电层的第一表面并与所述谐振单元电连接，所述接地走线形成所述第三支撑部。
4.如权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于，所述至少两个谐振单元分组形成至少两个滤波器，所述第三支撑部为长条状且沿相邻的两个所述谐振单元之间的缝隙设置...
【技术特征摘要】
1.一种声表面波器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述支撑结构还包括第三支撑部，所述第三支撑部设置于所述压电层的第一表面，所述第二支撑部的第一端与所述第三支撑部连接。
3.如权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于，所述声表面波器件还包括接地走线，所述接地走线设置于所述压电层的第一表面并与所述谐振单元电连接，所述接地走线形成所述第三支撑部。
4.如权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于，所述至少两个谐振单元分组形成至少两个滤波器，所述第三支撑部为长条状且沿相邻的两个所述谐振单元之间的缝隙设置，相邻的两个所述谐振单元中的一个所述谐振单元为其中一个所述滤波器的一部分，相邻的两个所述谐振单元中的另一个所述谐振单元为另一个所述滤波器的一部分，所述第二支撑部的数量为多个，所述多个第二支撑部沿所述第三支撑部的延伸方向间隔设置；所述支撑结构为导体且接地设置，以在相邻的两个所述滤波器之间形成信号屏蔽。
5.如权利要求4所述的声表面波器件，其特征在于，所述盖体上设置有用于连接外部电路的接地凸块，所述第一支撑部与所述接地凸块电连接；
6.如权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一支撑部包括第一延伸部和与所述第一延伸部连接的第二延伸部，所述第二支撑部的第二端与所述第一延伸部和所述第二延伸部的连接处连接。
7.如权利要求6所述的声表面波器件，其特征在于，所述第一延伸部在所述第一表面的投影与其中一个所述谐振单元在所述第一表面的投影部分重叠，所述第二延伸部在所述第一表面的投影与另一个所述谐振单元在所述第一表面的投影部分重叠。
8.如权利要求7所述的声表面波...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄浈，史海涛，杜波，徐杰，王华磊，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯重庆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。