一种图像传感器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种图像传感器及其制备方法，图像传感器至少包括：衬底；光电感应区，设置在衬底内；多个浮置扩散区，设置在光电感应区的同一侧的衬底内；第一电荷储存区，与浮置扩散区设置在光电感应区的同一侧；至少一个栅极，设置在光电感应区和第一电荷储存区之间的衬底上；遮光结构，设置在栅极上，且遮光结构覆盖第一电荷储存区；介质层，设置在衬底上；至少一层金属层，设置在遮光结构上的介质层内；以及第二电荷储存区，包括遮光结构和金属层，和/或，遮光结构和栅极。通过本发明专利技术提供的图像传感器及其制备方法，能够实现宽动态全局像素。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图像传感器领域，特别是涉及一种图像传感器及其制备方法。

技术介绍

1、cmos图像传感器(complementary metal oxide semiconductor image sensor，cis)将光信号转换为电信号并输出，具有成本低、功耗低和工艺兼容性好等优点，被广泛应用在消费、监控和工业等各个领域中。cmos图像传感器按照用途又可以进一步分为卷帘式和全局曝光式两种，相对于卷帘式，全局曝光式在同一时间进行曝光，不存在拖影的情况，从而被广泛应用在车载、工业、道路监控和高速摄像机中。

2、全局曝光式cmos图像传感器又分为电压域和电荷域两种。由于电荷域全局曝光式cmos图像传感器中采用mos电容，减小存储节点的寄生光响应是一个非常重要的需求。而且，对于电荷域全局曝光式cmos图像传感器，实现宽动态全局像素，也是一个重要的需求。然而，如果要实现宽动态全局像素，必然要增加制备图像传感器的工艺步骤，从而导致制备流程繁琐，制备成本增加。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述浮置扩散区包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区并列设置在所述光电感应区的同一侧的所述衬底内，且所述第二浮置扩散区设置在所述第一浮置扩散区和所述光电感应区之间。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述金属层包括第一金属层，所述第一金属层设置在所述遮光结构上的所述介质层内。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，当所述第二电荷储存区包括所述遮光结构和所述金属层时，所述第二电荷储存区包括所述遮光结构、所...

【技术特征摘要】

1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述浮置扩散区包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区并列设置在所述光电感应区的同一侧的所述衬底内，且所述第二浮置扩散区设置在所述第一浮置扩散区和所述光电感应区之间。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述金属层包括第一金属层，所述第一金属层设置在所述遮光结构上的所述介质层内。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，当所述第二电荷储存区包括所述遮光结构和所述金属层时，所述第二电荷储存区包括所述遮光结构、所述第一金属层、以及所述遮光结构和所述第一金属层之间的所述介质层。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述遮光结构和所述第二浮置扩散区电性连接，所述第一金属层处于低电位；或者所述第一金属层和所述第二浮置扩散区电性连接，所述遮光结构处于低电位。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，当所述第二电荷储存区包括所述遮光结构、所述第一金属层、以及所述遮光结构和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张维，奚鹏程，范春晖，
申请(专利权)人：合肥海图微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：