【技术实现步骤摘要】
本申请一般涉及关键尺寸测量用扫描电子显微镜量测。更具体地，本申请涉及一种基于扫描电镜图像量测目标区域的方法、设备和计算机可读存储介质。
技术介绍
1、随着半导体行业的快速发展，元件尺寸越来越小，晶片上集成电路设计密度要求也越来越高。因此，关键尺寸(critical dimension，“cd”)作为半导体制造领域的关键参数(包括精确度、可重复性、可再现性、稳定性等多个指标)，其要求也越来越高。
2、目前，有通过使用线距标准片来校准线距测量仪器，进而通过仪器表征线量测尺寸特征，但使用标准片会引入标定、样片均匀性及重复性等不确定性。另外，也有通过扫描电子显微镜(scanning electron-beam microscope，“sem”)获取晶片图像，进而通过阈值(“threshold”)或者线性近似拟合(“linear approximation”)算法获取边缘位置。其中，前述阈值方法是直接采用sem图像的一维灰度曲线图，通过设置最高值和最低值之间的阈值确定边缘位置。然而，由于sem图像的成像与许多因素有关，图像质量不稳定，...
【技术保护点】
1.一种基于扫描电镜图像量测目标区域的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中基于所述扫描电镜图像确定所述目标区域内的灰度曲线图包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中根据所述灰度曲线图分别计算所述左侧区域和所述右侧区域各自对应的边缘直线和高基准线与低基准线包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中根据所述灰度曲线图确定所述左侧区域和所述右侧区域各自对应的梯度最大值包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中在利用预定滤波核对所述灰度曲线图进行差分之前，还包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其中基于...
【技术特征摘要】
1.一种基于扫描电镜图像量测目标区域的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中基于所述扫描电镜图像确定所述目标区域内的灰度曲线图包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中根据所述灰度曲线图分别计算所述左侧区域和所述右侧区域各自对应的边缘直线和高基准线与低基准线包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中根据所述灰度曲线图确定所述左侧区域和所述右侧区域各自对应的梯度最大值包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中在利用预定滤波核对所述灰度曲线图进行差分之前，还包括：
6.根据权利要求3所述的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵帅帅，杨康康，齐立文，张剑，
申请(专利权)人：惠然微电子技术无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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