【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及二氧化硅蚀刻液技术，尤其涉及一种全氟烷基对苯甲酸盐、包含其的蚀刻液、及其制备方法与应用。
技术介绍
1、传统槽式二氧化硅薄膜的湿法刻蚀是将硅片竖直浸泡在循环流动的刻蚀剂例如hf、boe中，以纯化学反应作用的方法把经显影后光刻胶图形中下层二氧化硅薄膜的裸露部分去掉或将整层薄膜去除。sio2湿法刻蚀反应分为三个主要步骤：刻蚀剂移动到硅片表面；与暴露的sio2膜发生化学反应生成可溶解副产物；从硅片表面移去反应生成物。而硅片表面sio2刻蚀速率与氢氟酸在硅片表面的边界层厚度相关。当hf、boe在硅片上边界层薄时反应物扩散到硅片表面快，生成物扩散离开硅片表面也快，硅片表面化学反应速度快。反之，当氢氟酸在硅片上边界层厚时反应物扩散到硅片表面慢，生成物扩散离开硅片表面也慢，硅片表面化学反应速度慢。即，氢氟酸刻蚀剂边界层厚刻蚀速率低，氢氟酸刻蚀剂边界层薄刻蚀速率高。
2、先进的半导体技术具有复杂的三维纳米结构和纳米限制空间，如纳米片、超表面、深接触孔和纳米空腔。随着微电子器件的不断缩小，纳米尺度三维空间内的湿蚀刻动力学提出了新...
【技术保护点】
1.一种全氟烷基对苯甲酸盐，其特征在于，其结构式为式X，其中N为C8-12的直链烷基，M为钠、钾或铵；
2.一种权利要求1所述全氟烷基对苯甲酸盐的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.一种权利要求1所述全氟烷基对苯甲酸盐在蚀刻液领域的应用。
4.一种蚀刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：
5.根据权利要求4所述蚀刻液，其特征在于，所述全氟烷基对苯甲酸盐为全氟正辛基对苯甲酸钠、全氟正辛基对苯甲酸钾、全氟正辛基对苯甲酸铵、全氟正壬基对苯甲酸钠、全氟正癸基对苯甲酸钠、全氟十一烷基对苯甲酸钠或全氟十二烷基对苯甲酸铵。
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种全氟烷基对苯甲酸盐，其特征在于，其结构式为式x，其中n为c8-12的直链烷基，m为钠、钾或铵；
2.一种权利要求1所述全氟烷基对苯甲酸盐的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.一种权利要求1所述全氟烷基对苯甲酸盐在蚀刻液领域的应用。
4.一种蚀刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：
5.根据权利要求4所述蚀刻液，其特征在于，所述全氟烷基对苯甲酸盐为全氟正辛基对苯甲酸钠、全氟正辛基对苯甲酸钾、全氟正辛基对苯甲酸铵、全氟正壬基对苯甲酸钠、全氟正癸...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，武文东，赵晓莹，任洁，杨茂森，
申请(专利权)人：浙江奥首材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。