一种双向差分有源矢量合成移相器制造技术

本发明专利技术公开了一种双向差分有源矢量合成移相器，属于集成电路技术领域。该双向差分有源矢量合成移相器包括：正交差分信号产生器、第一变压器、第二变压器、第一双向跨导单元、第二双向跨导单元以及第三变压器。该移相器通过控制双向跨导单元的信号流向实现双向工作模式的灵活切换。通过调节双向跨导单元的跨导实现输出增益以及同相和正交两路差分信号增益的双向调节，进而实现移相器相位和增益的双重调节。同时，本发明专利技术具有电路结构简单、易于片上集成等特点，可有效提升时分双工相控阵系统设计的集成度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路，具体涉及一种双向差分有源矢量合成移相器。

技术介绍

1、相控阵系统拥有的波束赋形和波束扫描能力可以显著提高无线通信系统的信噪比和灵敏度，是当代及未来通信和雷达等领域的关键核心技术之一。移相器作为相控阵系统实现波束扫描的重要组件，其设计好坏直接影响着整个相控阵系统的相位精度。

2、对于包含发射链路和接收链路的时分双工相控阵系统而言，为了实现系统的高集成度和小型化，通常希望能将发射链路和接收链路复用。无源移相器虽然能够实现收发复用，但其由多个无源移相单元级联构成，占据较大芯片面积且带宽受限。采用矢量合成方法的有源移相器具有面积小、损耗低、高移相精度和大带宽等特点，但其为单向电路，不能容易地复用于接收操作和发射操作两者。

技术实现思路

1、针对上述现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种可收发复用的双向差分有源矢量合成移相器。

2、本专利技术所采取的技术方案是：

3、一种双向差分有源矢量合成移相器，包括：正交差分信号产生器、第一变压器、第二变压器、第一双向本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双向差分有源矢量合成移相器，其特征在于，包括：正交差分信号产生器(10)、第一变压器(20)、第二变压器(30)、第一双向跨导单元(40)、第二双向跨导单元(50)以及第三变压器(60)；

2.根据权利要求1所述的一种双向差分有源矢量合成移相器，其特征在于，所述正交差分信号产生器(10)用于将差分信号转换为正交差分信号，并具有可逆性；

3.根据权利要求2所述的一种双向差分有源矢量合成移相器，其特征在于，所述第一变压器(20)包括第一电感和第二电感；所述第二变压器(30)包括第三电感和第四电感；所述第三变压器(60)包括第五电感和第六电感；

4....

【技术特征摘要】

1.一种双向差分有源矢量合成移相器，其特征在于，包括：正交差分信号产生器(10)、第一变压器(20)、第二变压器(30)、第一双向跨导单元(40)、第二双向跨导单元(50)以及第三变压器(60)；

2.根据权利要求1所述的一种双向差分有源矢量合成移相器，其特征在于，所述正交差分信号产生器(10)用于将差分信号转换为正交差分信号，并具有可逆性；

3.根据权利要求2所述的一种双向差分有源矢量合成移相器，其特征在于，所述第一变压器(20)包括第一电感和第二电感；所述第二变压器(30)包括第三电感和第四电感；所述第三变压器(60)包括第五电感和第六电感；

4.根据权利要求1所述的一种双向差分有源矢量合成移相器，其特征在于，所述第一双向跨导单元(40)包括第一nmos晶体管、第二nmos晶体管、第三nmos晶体管、第四nmos晶体管、第五nmos晶体管、第六nmos晶体管、第一pmos晶体管、第二pmos晶体管、第三pmos晶体管、第四pmos晶体管、第五pmos晶体管、第六pmos晶体管、第七pmos晶体管和第八pmos晶体管；

5.根据权利要求1所述的一种双向差分有源矢量合成移相器，其特征在于，所述第二双向跨导单元(50)包括第七nmos晶体管、第八nmos晶体管、第九nmos晶体管、第十nmos晶体管、第十一nmos晶体管、第十二nmos晶体管、第九pmos晶体管、第十pmos晶体管、第十一pmos晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：李斌，张海福，雒寒阳，崔晓冬，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十四研究所，
类型：发明
国别省市：