【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路。尤其是涉及一种晶粒载具、晶粒载具的制造方法及晶粒的清洁方法。
技术介绍
1、晶圆产品对于散热的要求比较高，通常采用金属散热方式对晶圆进行散热，这需要采用背金工艺（back side metal，bsm）在晶圆背面制备金属层，以便晶圆与金属散热件之间的焊接；或者在晶圆背面制备界面散热材料层对晶圆进行散热，这也需要采用背金工艺搭配金属材料，例如纯铟，在晶圆背面制备金属层作为界面散热材料层。
2、晶圆上一般包括多个集成电路，需要切割晶圆获取对应集成电路的晶粒，因为在晶圆背面存在金属层，所以切割晶圆获取晶粒以后，晶粒表面可能存在金属碎屑，而金属碎屑在后续的封装过程中会影响晶圆产品的电路功能。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施方式提供一种晶粒载具、晶粒载具的制造方法及晶粒的清洁方法，便于清洁晶粒表面的金属碎屑。
2、为达到上述目的，本专利技术的实施方式采用如下技术方案：
3、第一方面，本专利技术实施方式提供一种晶粒载具，包括：载板...
【技术保护点】
1.一种晶粒载具，其特征在于，包括载板，在所述载板上设有晶粒容置槽，所述晶粒容置槽的槽底为镂空结构；其中，所述晶粒容置槽的数量为至少两个，所述至少两个晶粒容置槽相邻间隔布置，且所述至少两个晶粒容置槽的长度方向相一致。
2.根据权利要求1所述的晶粒载具，其特征在于，还包括与所述载板一体成型的围堰，所述围堰位于所述载板的上表面的边沿位置处，且沿所述载板的上表面的边沿周向延伸；所述晶粒容置槽设在所述载板的上表面。
3.根据权利要求2所述的晶粒载具，其特征在于，所述晶粒容置槽的底面与所述载板的上表面，在沿垂直于所述晶粒容置槽的底面方向上具有预设距离。<...
【技术特征摘要】
1.一种晶粒载具，其特征在于，包括载板，在所述载板上设有晶粒容置槽，所述晶粒容置槽的槽底为镂空结构；其中，所述晶粒容置槽的数量为至少两个，所述至少两个晶粒容置槽相邻间隔布置，且所述至少两个晶粒容置槽的长度方向相一致。
2.根据权利要求1所述的晶粒载具，其特征在于，还包括与所述载板一体成型的围堰，所述围堰位于所述载板的上表面的边沿位置处，且沿所述载板的上表面的边沿周向延伸；所述晶粒容置槽设在所述载板的上表面。
3.根据权利要求2所述的晶粒载具，其特征在于，所述晶粒容置槽的底面与所述载板的上表面，在沿垂直于所述晶粒容置槽的底面方向上具有预设距离。
4.根据权利要求1所述的晶粒载具，其特征在于，所述晶粒容置槽的槽底包括位于中央部位的米字形支撑结构，以及位于槽底四角位置处的斜向支撑结构。
5.根据权利要求1所述的晶粒载具，其特征在于，所述晶粒容置槽在长度方向上具有第一容置余量，和/或，在宽度方...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹啸，
申请(专利权)人：成都海光集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：
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