【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺的，具体涉及了一种等离子过滤装置、一种半导体的工艺设备、一种半导体的工艺方法，以及一种计算机可读存储介质。
技术介绍
1、在现有技术中，有些半导体工艺设备，例如原子层沉积(ald)设备，它的远程等离子体设置是两个腔室共用一个远程等离子体源，并且，每个腔室可执行各自的半导体工艺。有些半导体工艺中，有些对于等离子体的要求不高，或等离子体的作用并不是还原金属氧化物，或某些等离子体源的气体是扩散率较低的气体。因此，在等离子体输送管路上并没有安装等离子体过滤装置。
2、现有的热型原子层沉积(thermal atomic layer deposition，t-ald)技术中，某些工艺在薄膜沉积前需要将金属晶圆表面进行前处理，由于晶圆表面存在一层金属氧化物，因此需要将该金属氧化物还原成金属单质。例如，铜晶圆在表面沉膜前，需要将氧化铜还原成铜单质。现有的还原工艺为利用氢原子的还原性将金属氧化物还原成金属单质。
3、但是目前，在还原工艺过程中，由于氢气在经过远程等离子体源的解离后，通入腔室内的晶圆表面时，会...
【技术保护点】
1.一种等离子过滤装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子过滤装置，其特征在于，所述第一极板为正电极板，所述第二极板为负电极板，且所述正电极板和所述负电极板之间设有第一电极绝缘隔板，以在所述正电极板和所述负电极板通电后，形成用以提供促使所述带电粒子偏转的电场力的电场。
3.如权利要求2所述的等离子过滤装置，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的等离子过滤装置，其特征在于，还包括：
5.如权利要求2所述的等离子过滤装置，其特征在于，还包括：
6.如权利要求3所述的等离子过滤装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种等离子过滤装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子过滤装置，其特征在于，所述第一极板为正电极板，所述第二极板为负电极板，且所述正电极板和所述负电极板之间设有第一电极绝缘隔板，以在所述正电极板和所述负电极板通电后，形成用以提供促使所述带电粒子偏转的电场力的电场。
3.如权利要求2所述的等离子过滤装置，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的等离子过滤装置，其特征在于，还包括：
5.如权利要求2所述的等离子过滤装置，其特征在于，还包括：
6.如权利要求3所述的等离子过滤装置，其特征在于，还包括：
7.如权利要求3所述的等离子过滤装置，其特征在于，所述离子输送管和所述第一导电柱、所述第二导电柱之间设有第二电极绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴凤丽，杨华龙，王随虎，张翔宇，赵坤，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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