【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及耐高温防辐射防腐蚀的防护材料，具体涉及一种用于等离子体焰炬外沉积环境下的防护材料及设备。
技术介绍
1、光纤预制棒制造常用的四种掺杂分别是改进化学气相沉积法(mcvd)、等离子体化学气相沉积法(pcvd)、外部化学沉积法(ovd)、轴向气相沉积法(vad)。为了进一步优化工艺，业内有用等离子体焰炬替换ovd的热源，形成了一种等离子体焰炬外沉积法。
2、由于mcvd和pcvd是管内法，在制备过程中，具有腐蚀性的反应气体不与设备接触，因此mcvd和pcvd的设备罩壳无防腐蚀的需求；mcvd、ovd和vad的加热方式为氢氧焰加热，因此设备罩壳无防辐射的需求。而在使用等离子体焰炬外沉积法制备光纤预制棒靶棒的过程中，由于等离子体焰炬具有高频电磁辐射，约1-10ghz左右，沉积用化学反应气体多为氟化物，氯化物等腐蚀性气体，且生产过程中产生的热量较大，环境温度约500℃左右，因此使用等离子体焰炬外沉积制造光纤预制棒，其设备罩壳必须达到同时实现防腐蚀，防辐射，耐高温的兼容防护作用。
3、现有的常规电磁场屏蔽手段为利...
【技术保护点】
1.一种用于等离子体焰炬外沉积环境下的防护材料，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于等离子体焰炬外沉积环境下的防护材料，其特征在于，所述第一防护层为石墨层，石墨层的厚度为10～15mm。
3.根据权利要求1所述的一种用于等离子体焰炬外沉积环境下的防护材料，其特征在于，所述第二防护层为泡沫镍、泡沫铜或泡沫铝。
4.根据权利要求3所述的一种用于等离子体焰炬外沉积环境下的防护材料，其特征在于，当第二防护层为泡沫铝时，其厚度(λ0为真空中的波长，ε为介电常数，μ为磁导率。
5.根据权利要求1所述的一种用于等离子体...
【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体焰炬外沉积环境下的防护材料，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于等离子体焰炬外沉积环境下的防护材料，其特征在于，所述第一防护层为石墨层，石墨层的厚度为10～15mm。
3.根据权利要求1所述的一种用于等离子体焰炬外沉积环境下的防护材料，其特征在于，所述第二防护层为泡沫镍、泡沫铜或泡沫铝。
4.根据权利要求3所述的一种用于等离子体焰炬外沉积环境下的防护材料，其特征在于，当第二防护层为泡沫铝时，其厚度(λ0为真空中的波长，ε为介电常数，μ为磁导率。
5.根据权利要求1所述的一种用于等离子体焰炬外沉积环境下的防护材料，其特征在于，所述低线性膨胀系数金属材料为坡莫合金。
6.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄巍，谢欢，凃振宇，童维军，邓泉荣，谭浩，
申请(专利权)人：武汉市飞瓴光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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