用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置及MOCVD设备制造方法及图纸

本技术公开了用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置以及MOCVD设备，该加工装置包括：中心区域设置有喷射装置，用于喷射沉积粒子气流的盖板；具有环形结构的气体收集器，气体收集器的内部设置有气流通道，内壁上设置有和气流通道相连通的第一吸气孔，气体收集器用于收集气体收集器的环内的气流；设置在气体收集器的环内，用于承载晶圆的载盘；其中，盖板设置在气体收集器的一端，且气体收集器靠近盖板一侧的端部，与盖板的边缘部位可拆卸的相互封闭连接。本申请中盖板的边缘部位和气体收集器的端部直接可以进行可拆卸的封闭连接，避免污染气体从盖板和气体收集器之间的缝隙泄露流出，提升对污染气体收集的效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体加工，特别是涉及一种用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置以及mocvd设备。

技术介绍

1、mocvd(metal-organic chemical vapor deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)技术是以ⅲ族、ⅱ族元素的有机化合物和v、ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在晶圆衬底上进行气相外延，生长各种ⅲ-v主族、ⅱ-ⅵ副族化合物半导体以及其多元固溶体的薄层单晶材料的技术。

2、在半导体加工制备技术中，基于对晶圆的各种不同功能的需求，采用mocvd技术在半导体晶圆上沉积各种粒子层得以广泛应用。但晶圆在进行化学反应沉积形成粒子层的过程中，会产生污染性气体，如何对该污染性气体进行有效收集，是业内重点关注的问题之一。

技术实现思路

1、本技术的目的是提供一种用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置以及mocvd设备，能够在一定程度上提升对污染气体收集的效果。

2、为解决上述技术问题，本技术提供一种用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置，包括：

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【技术保护点】

1.一种用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置，其特征在于，所述气体收集器的端部设置有凹槽结构；所述盖板的边缘部位设置有可嵌入所述凹槽结构内的凸起结构。

3.如权利要求2所述的用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置，其特征在于，所述凹槽结构的槽底设置有和所述气体收集器的内部吸气通道相连通的第二吸气孔。

4.如权利要求2所述的用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置，其特征在于，所述凹槽结构的横截面为倒梯形截面；

5.如权利要求2所述的用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置，其特征在于，所述凸...

【技术特征摘要】

1.一种用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置，其特征在于，所述气体收集器的端部设置有凹槽结构；所述盖板的边缘部位设置有可嵌入所述凹槽结构内的凸起结构。

3.如权利要求2所述的用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置，其特征在于，所述凹槽结构的槽底设置有和所述气体收集器的内部吸气通道相连通的第二吸气孔。

4.如权利要求2所述的用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置，其特征在于，所述凹槽结构的横截面为倒梯形截面；

5.如权利要求2所述的用于晶圆表面粒子层沉积的加工装置，其特征在于，所述凸起结构的轮廓为弧形轮廓；相...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：