【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于模拟集成电路,具体涉及一种可增减修调电流源。
技术介绍
1、在模拟集成电路领域,电流基准源可以为芯片内各模块提供稳定的参考工作电流。通常将电流源作为固定电流输出,且输出电流会受到工艺参数的影响而出现波动。在高精度电路中,电流源较大的波动会直接导致内部电路各个部分的参数特性变化,因此出现了能够对输出电流进行修调的电流源。传统的可修调电流源只能将输出电流向减小的方向修正,若出现工艺波动使得电流源输出电流偏小的情况下则无法向输出电流增大的方向修正。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足,本专利技术提出了一种可增减修调电流源,该电流源包括:一个njfet管,四个npn三极管、两个pnp三极管、两个电容和三个电阻;pnp三极管q4的发射极、pnp三极管q5的发射极和npn三极管q6的集电极均连接上输出端;pnp三极管q4的基极分别连接pnp三极管q5的基极、pnp三极管q4的集电极、电容c1的正极、电容c2的正极和njfet管的源极;njfet管的漏极分别连接电容c2的负极、npn
...【技术保护点】
1.一种可增减修调电流源,其特征在于,包括:一个NJFET管,四个NPN三极管、两个PNP三极管、两个电容和三个电阻;PNP三极管Q4的发射极、PNP三极管Q5的发射极和NPN三极管Q6的集电极均连接上输出端;PNP三极管Q4的基极分别连接PNP三极管Q5的基极、PNP三极管Q4的集电极、电容C1的正极、电容C2的正极和NJFET管的源极;NJFET管的漏极分别连接电容C2的负极、NPN三极管Q3的基极和NPN三极管Q1的集电极;NJFET管的栅极连接电源负极;PNP三极管Q5的集电极分别连接电容C1的负极和NPN三极管Q3的集电极;NPN三极管Q3的发射极分别连接N
...【技术特征摘要】
1.一种可增减修调电流源,其特征在于,包括:一个njfet管,四个npn三极管、两个pnp三极管、两个电容和三个电阻;pnp三极管q4的发射极、pnp三极管q5的发射极和npn三极管q6的集电极均连接上输出端;pnp三极管q4的基极分别连接pnp三极管q5的基极、pnp三极管q4的集电极、电容c1的正极、电容c2的正极和njfet管的源极;njfet管的漏极分别连接电容c2的负极、npn三极管q3的基极和npn三极管q1的集电极;njfet管的栅极连接电源负极;pnp三极管q5的集电极分别连接电容c1的负极和npn三极管q3的集电极;npn三极管q3的发射极分别连接npn三极管q6的基极和电阻r2的一端;电阻r2的另一端分别连接npn三极管q1的基极、npn三极管q2的基极和npn三极管q2的集电极;...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨阳,罗寻,文忠峰,罗焰娇,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第二十四研究所,
类型:发明
国别省市:
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