一种短路保护系统技术方案

本发明专利技术涉及短路保护技术领域，公开了一种短路保护系统，该系统包括SiC MOSFET管驱动电路、第一短路检测电路和第二短路检测电路；SiC MOSFET管驱动电路分别与第一短路检测电路和第二短路检测电路连接；SiC MOSFET管驱动电路包括SiC MOSFET管，用于控制及驱动SiC MOSFET管工作；第一短路检测电路并联在第一电感两端，第一电感连接在SiC MOSFET管的开尔文源极和功率源极之间；第二短路检测电路分别与第一短路检测电路、SiC MOSFET管的漏极连接，第二短路检测电路用于在第一检测信号的触发下检测第二电压，并基于第二电压输出第三检测信号。如此，对硬开关短路故障和负载短路故障都能进行准确的检测和保护，在不影响正常开通性能的前提下，能够降低短路电流，从而降低短路故障对器件的冲击。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及短路保护领域，具体涉及一种短路保护系统。

技术介绍

1、sic mosfet的短路承受能力较弱，因此需要能够快速动作的短路保护电路对sicmosfet进行保护。目前，sic mosfet的短路检测方法主要有以下四种：去饱和检测法、电感检测法、门极电压检测法及基于罗氏线圈的短路检测法。其中，去饱和检测法需要设置一定的消隐时间来避免误检测，其保护速度相对较慢；电感检测法保护速度比较快，易于实现，但回路中的电感较大时，短路时的电流变化率较小，无法同正常开关进行区分，因此无法对负载短路故障进行高性能检测；门极电压检测法只能对硬开关短路故障进行保护，不能对负载短路故障进行保护；基于罗氏线圈的短路检测法存在带宽较低、安装不方便以及抗绕性差等缺点。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种短路保护系统，以解决现有技术中sic mosfet模块的短路保护电路不能同时对sic mosfet的硬开关短路故障以及负载短路故障进行快速、可靠且有效的保护的问题。

2、本专利技术提供了一种短路保护系统，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种短路保护系统，其特征在于，所述系统包括SiC MOSFET管驱动电路(100)、第一短路检测电路(200)和第二短路检测电路(300)；所述SiC MOSFET管驱动电路(100)分别与所述第一短路检测电路(200)和所述第二短路检测电路(300)连接；所述SiC MOSFET管驱动电路(100)包括目标SiC MOSFET管(110)，用于控制和驱动所述目标SiC MOSFET管(110)工作；

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一短路检测电路(200)包括第一电压检测电路(210)、第一比较电路(220)和第二比较电路(230)；

3.根...

【技术特征摘要】

1.一种短路保护系统，其特征在于，所述系统包括sic mosfet管驱动电路(100)、第一短路检测电路(200)和第二短路检测电路(300)；所述sic mosfet管驱动电路(100)分别与所述第一短路检测电路(200)和所述第二短路检测电路(300)连接；所述sic mosfet管驱动电路(100)包括目标sic mosfet管(110)，用于控制和驱动所述目标sic mosfet管(110)工作；

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一短路检测电路(200)包括第一电压检测电路(210)、第一比较电路(220)和第二比较电路(230)；

3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，若所述第一电压大于所述第二阈值电压，则所述第二比较电路(230)输出所述第二检测信号；

4.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述第一电压检测电路(210)包括检测电路和分压电路；

5.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张少昆，张栋，范涛，温旭辉，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：