一种芯片保护用高纯氮制取工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种芯片保护用高纯氮制取工艺，所述工艺所需装置包括原料液氮罐、主换热器、精馏塔、主冷凝蒸发器、过冷器、氮压机、后冷却器、低纯度液氮罐和高纯度液氮罐。本发明专利技术采用单塔单冷凝精馏提纯工艺即可获得纯度为≤3ppmAr的高纯氮产品，满足新的芯片生产工艺的要求(要求氮气产品Ar含量控制在3ppm以下)，工艺流程简单，提取率高，操作方便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及空分，具体涉及一种芯片保护用高纯氮制取工艺。

技术介绍

1、在芯片制造与生产过程中需要用高品质氮气对其进行气氛保护与清洗，以确保其质量和性能，随着芯片技术的更新发展，对所用保护氮气的品质要求也相应提高。而目前大多芯片制造厂是通过购买液氮再汽化制取氮气作为产品，该种氮气产品氩(ar)含量较高，一般在1000ppm以上，而新的芯片生产工艺要求ar含量控制在3ppm以下，这对氮气产品的制取提出了新的挑战。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种芯片保护用高纯氮制取工艺，以解决现有技术的不足。

2、本专利技术采用以下技术方案：

3、一种芯片保护用高纯氮制取工艺，所述工艺所需装置包括原料液氮罐、主换热器、精馏塔、主冷凝蒸发器、过冷器、氮压机、后冷却器、低纯度液氮罐和高纯度液氮罐；

4、原料液氮罐、氮压机、后冷却器、低纯度液氮罐和高纯度液氮罐设于冷箱外，主换热器、精馏塔、主冷凝蒸发器和过冷器设于冷箱内，主冷凝蒸发器设于精馏塔之上；

5、原料液氮罐和主换热本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片保护用高纯氮制取工艺，其特征在于，所述工艺所需装置包括原料液氮罐、主换热器、精馏塔、主冷凝蒸发器、过冷器、氮压机、后冷却器、低纯度液氮罐和高纯度液氮罐；

2.根据权利要求1所述的一种芯片保护用高纯氮制取工艺，其特征在于，步骤1)原料液氮纯度为≤3ppmO2，≥1000ppmAr。

3.根据权利要求1所述的一种芯片保护用高纯氮制取工艺，其特征在于，步骤2)低纯度液氮纯度为≥6ppmO2，≥1800ppmAr；高纯度氮气纯度为≤3ppmAr。

4.根据权利要求1所述的一种芯片保护用高纯氮制取工艺，其特征在于，步骤3)低纯度液氮产品纯度为≥6pp...

【技术特征摘要】

1.一种芯片保护用高纯氮制取工艺，其特征在于，所述工艺所需装置包括原料液氮罐、主换热器、精馏塔、主冷凝蒸发器、过冷器、氮压机、后冷却器、低纯度液氮罐和高纯度液氮罐；

2.根据权利要求1所述的一种芯片保护用高纯氮制取工艺，其特征在于，步骤1)原料液氮纯度为≤3ppmo2，≥1000ppmar。

3.根据权利要求1所述的一种芯片保护用高纯氮制取工艺，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：何森林，郭梦雨，张青，杨正军，韦霆，
申请(专利权)人：杭州特盈能源技术发展有限公司，
类型：发明
国别省市：