一种基于ZnTe掺杂N和ZnTe掺杂Cu的背接触缓冲层的CdTe电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于ZnTe掺杂N和ZnTe掺杂Cu的背接触缓冲层的CdTe电池及其制备方法，涉及CdTe电池技术领域，所述CdTe电池包括发电玻璃结构，所述发电玻璃结构包括浮法玻璃层、透明导电层、发电层、背接触缓冲层和背电极层；所述背接触缓冲层为为ZnTe掺杂N和ZnTe掺杂Cu的复合层，所述N/Cu比为1.80‑2.40。在现有CdTe电池的结构基础上，本发明专利技术通过通过调节N和Cu的掺杂比例，制备一种N、Cu按照一定化学计量比的共掺杂的ZnTe背接触层材料，通过减少Cu的掺杂比例，增加N的掺杂比例以兼顾CdTe电池输出功率和寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及cdte电池，尤其涉及一种基于znte掺杂n和znte掺杂cu的背接触缓冲层的cdte电池及其制备方法。

技术介绍

1、碲化镉(cdte)发电玻璃是一种“一材多能”、绿色、节能、创能的能源型建筑材料，拥有发电能力强、温度系数低等特点，非常适合应用于分布式、构件化、集成化的绿色建筑。碲化镉发电玻璃在技术上被称为碲化镉薄膜太阳能电池，它由碲化镉光电材料覆盖普通玻璃制成，这种材料能将普通玻璃从绝缘体变成能够发电的太阳能电池。

2、目前与晶硅电池相比，cdte电池还存在效率低、衰减快的问题，其主要原因在于cdte材料功函数较高，由于肖特基势垒效应，cdte直接与金属电极接触会产生比较大的电阻，导致电池输出功率低。为解决这一问题，通常在cdte层中掺杂cu来削弱肖特基势垒，但是由于cdte材料本身的特性，无法实现重掺杂，对肖特基势垒的削弱作用不足，为此通常在cdte与金属电极之间插入一层能够实现重掺杂的背接触层，但是由于cu迁移能力较强，过量的cu会穿过背接触层沿着cdte晶粒边界向电池内部扩散，形成缺陷复合中心，导致电池快速衰减，为解决这本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于ZnTe掺杂N和ZnTe掺杂Cu的背接触缓冲层的CdTe电池，其特征在于，所述CdTe电池包括发电玻璃结构，所述发电玻璃结构包括浮法玻璃层、透明导电层、发电层、背接触缓冲层和背电极层；

2.根据权利要求1所述的基于ZnTe掺杂N和ZnTe掺杂Cu的背接触缓冲层的CdTe电池，其特征在于，所述复合层包括ZnTe:N层和ZnTe:Cu层，所述ZnTe:N层与所述发电层接触，所述ZnTe:Cu层与所述背电极层接触。

3.根据权利要求2所述的基于ZnTe掺杂N和ZnTe掺杂Cu的背接触缓冲层的CdTe电池，其特征在于，所述复合层的厚度为18-42nm，所述Zn...

【技术特征摘要】

1.一种基于znte掺杂n和znte掺杂cu的背接触缓冲层的cdte电池，其特征在于，所述cdte电池包括发电玻璃结构，所述发电玻璃结构包括浮法玻璃层、透明导电层、发电层、背接触缓冲层和背电极层；

2.根据权利要求1所述的基于znte掺杂n和znte掺杂cu的背接触缓冲层的cdte电池，其特征在于，所述复合层包括znte:n层和znte:cu层，所述znte:n层与所述发电层接触，所述znte:cu层与所述背电极层接触。

3.根据权利要求2所述的基于znte掺杂n和znte掺杂cu的背接触缓冲层的cdte电池，其特征在于，所述复合层的厚度为18-42nm，所述znte:n层厚度为所述znte:cu层厚度的两倍以上。

4.根据权利要求1所述的基于znte掺杂n和znte掺杂cu的背接触缓冲层的cdte电池，其特征在于，所述透明导电层的材料为选自fto透明导电膜、ito透明导电膜或azo透明导电膜中的任意一种；所述发电层的材料为cds/cdte或者cdsexte1-x，cds/cdte厚度为3-5μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭秀斌，吴一民，邵传兵，
申请(专利权)人：邯郸中建材光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：