太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统技术方案

本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。太阳电池包括：半导体基底，具有相对设置的第一面和第二面；半导体基底上设有沿第一方向相邻排布的第一导电区和第二导电区，第一导电区包括沿第一方向相邻排布的第一子区和第二子区，第一子区与第二导电区相接；第一方向垂直于半导体基底的厚度方向；第一发射极，设于第一面上，且位于第一导电区；绝缘层，设于第一发射极上，且位于第一子区；以及第二发射极，设于第一面上；第二发射极包括相连接的第一子发射极和第二子发射极，第一子发射极位于第二导电区，第二子发射极设于绝缘层上；其中，第一发射极与第一子发射极电性导通。本申请能够防止热斑效应。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳电池，特别是涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。

技术介绍

1、太阳电池是通过光电效应直接把光能转化成电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结而在半导体晶片或基板上制造太阳电池。

2、其中，全背接触太阳电池的p-n结设置在基板的一面，并且p掺杂区和n掺杂区沿着基板的表面交替排列。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子-空穴对。电子-空穴对迁移至基板一面的p掺杂区和n掺杂区，从而使掺杂区之间生成电压差。将掺杂区通过金属电极连接至与太阳电池耦接的外部电路，以将电流从太阳电池引导至外部电路。在相关的全背接触太阳电池技术中，通过在相邻的p型和n型掺杂区域之间设置沟槽提供隔离防止漏电和提高光电转换效率。然而，这种太阳电池易受热斑效应影响而损坏。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。

2、第一方面，本申请实施例提供一种太阳电池，包括：

<p>3、半导体基底，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一面包括位于所述第一导电区的第一子面和位于所述第二导电区的第二子面，所述第一子面与所述第二面之间的最小距离大于所述第二子面与所述第二面之间的最小距离；

3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括：

4.根据权利要求3所述的太阳电池，其特征在于，所述绝缘层靠近所述第一电极的一侧与所述第一发射极的中心之间具有第一间距，所述第一间距介于3μm-10000μm。

5.根据权利要求3所述的太阳电池，其特征在于，所述绝缘层沿所述第一方向的尺寸...

【技术特征摘要】

1.一种太阳电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一面包括位于所述第一导电区的第一子面和位于所述第二导电区的第二子面，所述第一子面与所述第二面之间的最小距离大于所述第二子面与所述第二面之间的最小距离；

3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括：

4.根据权利要求3所述的太阳电池，其特征在于，所述绝缘层靠近所述第一电极的一侧与所述第一发射极的中心之间具有第一间距，所述第一间距介于3μm-10000μm。

5.根据权利要求3所述的太阳电池，其特征在于，所述绝缘层沿所述第一方向的尺寸为第一尺寸w，所述第一尺寸w满足如下关系：

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈达明，柳伟，胡匀匀，陈奕峰，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：