【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于一种小分子晶体可见光光刻胶,涉及一种有机小分子光刻胶及其制备方法和应用。
技术介绍
1、光刻技术是指在光照作用下,借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。目前光刻应用广泛,尤其是在半导体行业。在光刻过程中,光刻胶的使用起到关键作用,光刻的原理为:光通过掩膜版照射到附有光刻胶薄层的二维基底表面(如单晶硅),引起照射区域的光刻胶发生化学反应,照射区域的光刻胶发生分子极性的变化,导致其在显影液中的溶解度相比未照射区域发生变化。经过显影剂淋洗,选择性刻蚀掉与掩膜版漏光区域相同图案的光刻胶称为正向光刻胶。对于经过显影剂淋洗,选择性保留与掩膜版漏光区域相同图案的光刻胶称为反向光刻胶。常用的正向光刻胶利用的光化学反应原理是基于高分子链的光致降解、官能团脱保护、重排或分子内脱水等反应。相对应的,常用的反向光刻胶利用的光化学反应原理是基于高分子链之间发生的交联反应。光刻胶的种类、制备工艺以及光刻胶与光刻机的匹配程度决定了光刻图案的精度。
2、对于高精度光刻技术而言,二维基底表面附着的光刻胶薄层厚度的均匀度
...【技术保护点】
1.一种有机小分子光刻胶,其中,所述有机小分子光刻胶是一类以给-受体(D-A)分子片段为分子骨干基团的有机共轭小分子;其中给-受体(D-A)分子骨干基团包括能量给体片段(D)和能量受体片段(A);
2.根据权利要求1所述的有机小分子光刻胶,其中,所述有机小分子光刻胶的分子结构包括给-受体(D-A)分子骨干基团、连接基团(C)以及可扭转光致产酸基团(B);所述可扭转光致产酸基团(B)通过连接基团(C)连接在给-受体(D-A)分子骨干基团的两端。
3.根据权利要求1或2所述的有机小分子光刻胶,其中,所述能量给体片段(D)可以是式1所示结构片段或式2
...【技术特征摘要】
1.一种有机小分子光刻胶,其中,所述有机小分子光刻胶是一类以给-受体(d-a)分子片段为分子骨干基团的有机共轭小分子;其中给-受体(d-a)分子骨干基团包括能量给体片段(d)和能量受体片段(a);
2.根据权利要求1所述的有机小分子光刻胶,其中,所述有机小分子光刻胶的分子结构包括给-受体(d-a)分子骨干基团、连接基团(c)以及可扭转光致产酸基团(b);所述可扭转光致产酸基团(b)通过连接基团(c)连接在给-受体(d-a)分子骨干基团的两端。
3.根据权利要求1或2所述的有机小分子光刻胶,其中,所述能量给体片段(d)可以是式1所示结构片段或式2所示结构片段中的一种:
4.权利要求1-3任一项所述的有机小分子光刻胶的制备方法,所述方法包括如下步...
【专利技术属性】
技术研发人员:张一帆,任阳阳,车延科,籍宏伟,赵进才,
申请(专利权)人:中国科学院化学研究所,
类型:发明
国别省市:
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