一种提高发光效率的LED外延层生长方法技术

本发明专利技术公开了一种提高发光效率的LED外延层生长方法，属于LED制备领域，具体LED外延层生长方法如下：在LP层或/和HP层之后插入停顿退火层，即LPR停顿退火层/和HPR停顿退火层；且LPR停顿退火层的生成温度、H<subgt;2</subgt;浓度、NH<subgt;3</subgt;浓度均低于LP层，N<subgt;2</subgt;浓度高于LP层；HPR停顿退火层的生成温度、H<subgt;2</subgt;浓度、NH<subgt;3</subgt;浓度均低于HP层，N<subgt;2</subgt;浓度高于HP层。本发明专利技术通过在LP层或/和HP层之后插入低温、高N<subgt;2</subgt;、低H<subgt;2</subgt;、低NH<subgt;3</subgt;环境停顿退火层，活化提升Mg效率，提升空穴浓度，提升晶格质量，从而提升LED发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于led制备，尤其涉及一种提高发光效率的led外延层生长方法。

技术介绍

1、现今，发光二极管（led），特别是氮化物发光二极管因其较高的发光效率，在普通照明领域已取得广泛的应用，如何提升发光二极管（led）的发光效率成为需要解决的重要课题。

2、现有led外延层结构中，低温lp掺mg层、高温hp掺mg层、pp层都需要在高浓度h2条件下生长，虽然有利于mg掺杂，但是正常结构中只有pp层有进行退火处理，mg-h2键断开效率相对偏低，通过退火层提升的空穴浓度仍然较低，制约着光效的提升。因此，需要开发一种有效提升led发光效率的方法。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是，克服以上
技术介绍
中提到的不足和缺陷，提供一种提高led发光效率的外延层生长方法。通过新设计在lp层或/和hp层之后插入低温、高n2、低h2、低nh3环境停顿退火层，可以大大提升mg的活化效率，提升空穴浓度及晶格质量，从而提升led发光效率。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提出的技术方案为：...

【技术保护点】

1.一种提高发光效率的LED外延层生长方法，所述LED外延层中包括低温掺Mg的LP层和高温掺Mg的HP层，其特征在于，在LP层或/和HP层之后插入停顿退火层，即LPR停顿退火层/和HPR停顿退火层；且LPR停顿退火层的生成温度、H2浓度、NH3浓度均低于LP层，N2浓度高于LP层；HPR停顿退火层的生成温度、H2浓度、NH3浓度均低于HP层，N2浓度高于HP层。

2.根据权利要求1所述提高发光效率的LED外延层生长方法，其特征在于，所述LPR停顿退火层比LP层的生成温度低50~150℃，N2浓度高50%以上，H2浓度低170~270slm，NH3浓度低20%以上。

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【技术特征摘要】

1.一种提高发光效率的led外延层生长方法，所述led外延层中包括低温掺mg的lp层和高温掺mg的hp层，其特征在于，在lp层或/和hp层之后插入停顿退火层，即lpr停顿退火层/和hpr停顿退火层；且lpr停顿退火层的生成温度、h2浓度、nh3浓度均低于lp层，n2浓度高于lp层；hpr停顿退火层的生成温度、h2浓度、nh3浓度均低于hp层，n2浓度高于hp层。

2.根据权利要求1所述提高发光效率的led外延层生长方法，其特征在于，所述lpr停顿退火层比lp层的生成温度低50~150℃，n2浓度高50%以上，h2浓度低170~270slm，nh3浓度低20%以上。

3.根据权利要求2所述提高发光效率的led外延层生长方法，其特征在于，所述lpr停顿退火层的生成温度为700~750℃，n2浓度为200~400slm，h2浓度为0~100slm，nh3浓度为20~100slm。

4.根据权利要求1所述提高发光效率的led外延层生长方法，其特征在于，所述hpr停顿退火层比hp层的生成温度低50~150℃，n2浓度高50%以上，h2浓度低250~350slm，nh3浓度低20%以上。

5.根据权利要求4所述提高发光效率的led外延层生长方法，其特征在于，所述hpr停顿退火层的生成温度为820~900℃，n2浓度为200~350slm，h2浓度为0~100slm，nh3浓度为20~200slm。

6.根据权利要求1所述提高发光效率...

【专利技术属性】
技术研发人员：程虎，徐洋洋，王文君，苑树伟，黎国昌，江汉，徐志军，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：

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