存储器及其操作方法、存储器系统技术方案

本公开实施例提供了一种存储器及其操作方法、存储器系统，该存储器包括：存储单元阵列以及与存储单元阵列耦接的外围电路；存储单元阵列包括多个存储单元以及与多个存储单元耦接的多条第一地址线和多条第二地址线；外围电路被配置为：在第一时刻响应于第一控制信号向与选中的存储单元耦接的第一地址线开始提供第一电压；在第二时刻响应于第二控制信号向与选中的存储单元耦接的第二地址线开始提供第二电压；第一时刻不同于第二时刻；在第三时刻响应于第一控制信号开始浮置与选中的存储单元耦接的第一地址线或者响应于第二控制信号开始浮置与选中的存储单元耦接的第二地址线。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，尤其涉及一种存储器及其操作方法、存储器系统。

技术介绍

1、由于对大容量和低功耗的存储器的需求已经增加，下一代存储器的研究已经在积极地进行。这样的下一代存储器(例如相变随机存取存储器(phase change random accessmemory，pcram)和仅选择器存储器(selector only memory，som))被期望弥补动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)和闪存(flash)之间的性能差距，具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震动和抗辐射等优点，而被广泛地使用。然而，在pcram和som的开关过程中引起的浪涌电流可能会对存储器的稳定性和可靠性造成负面影响，因此，如何精准地测量浪涌电流对于分析浪涌电流对存储器造成的影响从而采取相应措施提高存储器的可靠性至关重要。

技术实现思路

1、根据本公开实施例的第一方面，提供了一种存储器，包括：存储单元阵列以及与所述存储单元阵列耦接的外围电路；其中，所述存储单本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器，其特征在于，包括：存储单元阵列以及与所述存储单元阵列耦接的外围电路；其中，

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路包括：第一开关电路、第二开关电路、第一充电焊盘和第二充电焊盘；其中，

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还包括：第一电阻和第二电阻；所述第一电阻位于所述第一开关电路和所述第一地址线之间；所述第二电阻位于所述第二开关电路和所述第二地址线之间；

5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储单元包括选择器；所述外围电路被配置为...

【技术特征摘要】

1.一种存储器，其特征在于，包括：存储单元阵列以及与所述存储单元阵列耦接的外围电路；其中，

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路包括：第一开关电路、第二开关电路、第一充电焊盘和第二充电焊盘；其中，

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还包括：第一电阻和第二电阻；所述第一电阻位于所述第一开关电路和所述第一地址线之间；所述第二电阻位于所述第二开关电路和所述第二地址线之间；

5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储单元包括选择器；所述外围电路被配置为：重复执行至少一次所...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭文林，刘峻，杨海波，周光乐，蔡旺，游思成，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：