【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及用于发射或接收电磁辐射、特别是限定波长的光的封装式光电子构件。特别是,本专利技术涉及封装式边发射激光二极管。
技术介绍
1、通常在干燥且气密密封的壳体中操作光电子构件、诸如发光二极管、特别是所谓边发射激光二极管(eeld)、即基于晶片或芯片制成的边发射激光二极管,以延长其使用寿命。在这些情况下,通过二极管发射的光从壳体的侧向的窗口射出,或者在通过棱镜或反射镜进行偏转之后,通过二极管上方的窗口射出。图1和图2分别示出从现有技术已知的这两种设计中的一种。
2、在此,壳体基本材料通常优选由硅或玻璃或玻璃陶瓷制成。为了在射束离开壳体时尽可能减小对射束质量的影响,透射面和/或反射面通常设计为单面或双面抛光的光学面。
3、无论是采用微系统技术来制造光学部件(诸如窗口、棱镜、反射镜等),还是将这些光学部件组装到气密密封的壳体中,都更符合单件制造的条件,并且较为耗时、费力,因此成本较高。
4、通常,将具有附接中空腔室(hohlraum)的平面衬底或具有中空腔室的衬底(例如由玻璃或玻璃陶瓷制成)以及
...【技术保护点】
1.一种用于制造封装式光电子构件(9)的复合体的结构化晶片(2),所述晶片具有用于偏转电磁辐射的偏转元件(14),所述晶片(2)呈板状并且沿纵向方向L和横向方向B延伸,并且所述晶片构成为具有两个相对的侧面(2a、2b)的板且具有多个开口(20),这些开口分布在网格中布置且沿所述纵向方向L和所述横向方向B彼此隔开,其中在每个开口(20)的区域中均限定有至少一个舌状折叠区域(13),其中通过折叠所述折叠区域(13)能够分别形成具有至少一个光学面(30)的舌状偏转元件(14),所述舌状偏转元件能够作为一体式结构化晶片(2)的一部分永久可逆地变形,使得每个偏转元件(14)均能
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于制造封装式光电子构件(9)的复合体的结构化晶片(2),所述晶片具有用于偏转电磁辐射的偏转元件(14),所述晶片(2)呈板状并且沿纵向方向l和横向方向b延伸,并且所述晶片构成为具有两个相对的侧面(2a、2b)的板且具有多个开口(20),这些开口分布在网格中布置且沿所述纵向方向l和所述横向方向b彼此隔开,其中在每个开口(20)的区域中均限定有至少一个舌状折叠区域(13),其中通过折叠所述折叠区域(13)能够分别形成具有至少一个光学面(30)的舌状偏转元件(14),所述舌状偏转元件能够作为一体式结构化晶片(2)的一部分永久可逆地变形,使得每个偏转元件(14)均能够围绕至少第一轴线(31)反复地倾斜或弯曲。
2.根据前一权利要求所述的结构化晶片,其特征在于,至少一个偏转元件(14)的所述光学面(30)以平面的方式构建。
3.根据前述权利要求中任一项所述的结构化晶片,其特征在于以下特征中的至少一个:
4.根据前一权利要求所述的结构化晶片,其特征在于以下特征中的至少一个:
5.根据前述权利要求中任一项所述的结构化晶片,其特征在于,每个偏转元件(14)均具有至少两个偏转区段(33、35),所述至少两个偏转区段通过材料削弱结构(16)彼此隔开,使得第一偏转区段(33)能够围绕所述第一轴线(31)倾斜或弯曲,并且第二偏转区段(35)能够围绕第二轴线(32)倾斜或弯曲,其中所述第二轴线(32)以与所述第一轴线(31)形成一角度的方式、特别是横向于或垂直于所述第一轴线布置。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的结构化晶片,其特征在于,每个偏转元件(14)均具有至少一个偏转区段(33)和定位区段(34),所述偏转区段和定位区段通过材料削弱结构(16)彼此隔开,使得所述偏转区段(33)能够围绕所述第一轴线(31)倾斜或弯曲,并且所述定位区段能够围绕平行于所述第一轴线(31)布置的另一轴线弯曲。
7.一种封装式光电子构件(1)的复合体,所述复合体形成具有至少一个基底元件和盖元件(5)的壳体,其中多个光电子构件(9)布置在所述壳体的相应中空腔室(6)中,所述中空腔室由所述基底元件形成并且在顶侧被所述盖元件(5)覆盖,使得所述光电子构件(9)布置在所述盖元件(5)与所述基底元件之间,并且所述基底元件形成分别侧向包围中空腔室(6)的侧壁(50),其中所述基底元件特别是包括衬底和/或载体(3)及布置在该载体上的间隔件(4),该衬底具有限定所述中空腔室(6)的凹槽,所述间隔件(4)具有限定所述中空腔室(6)的开口(20),其中在所述盖元件(5)与所述基底元件之间布置有特别是根据前述权利要求中任一项所述的具有舌状偏转元件(14)的一体式结构化晶片(2),使得在每个中空腔室(6)中均布置有舌状偏转元件(14),该舌状偏转元件(14)围绕至少第一轴线(31)弯曲或者能够围绕所述至少第一轴线(31)反复地倾斜或弯曲并且具有至少一个光学面(30),由所述光电子构件(9)发射或接收的电磁辐射能够借助所述光学...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·奥特纳,F·瓦格纳,M·布莱辛格,U·普切尔特,T·格策,
申请(专利权)人:肖特股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。