System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种半导体集成电路的封装工艺制造技术_技高网

一种半导体集成电路的封装工艺制造技术

技术编号:42478082 阅读:26 留言:0更新日期:2024-08-21 13:00
本发明专利技术属于集成电路封装技术领域,提供一种半导体集成电路的封装工艺,包括:对硅片背面进行减薄,使硅片达到封装所需要的厚度,获得减薄后的硅片;对减薄后的硅片,利用切片机进行切割,获得切割后的硅片;将切割后的硅片,利用共晶固晶方式固定在封装基板中间的焊板上,获得固定后的硅片;将固定后的硅片,利用引线键合方式焊接,获得焊接后的硅片;将焊接后的硅片进行塑料封装。本发明专利技术可有效地将硅片封装为集成电路,既提高了封装工艺的自动化水平,又保证了集成电路成品的稳定性和可靠性,提高了集成电路的生产质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路封装,尤其涉及一种半导体集成电路的封装工艺


技术介绍

1、半导体集成电路是用半导体技术将电子电路的元件(电阻、电容、电感等)和器件晶体管传感器等在同一半导体材料上制造完成,并互连在一起形成完整的有独立功能的电路和系统。

2、封装技术是保证电子元器件的正常工作的重要环节,封装质量的高低,不仅关系到元器件的绝缘问题,还对元器件的尺寸、热量散发以及整个器件的成本都有影响。

3、申请号为cn202110146035.6的专利公开了一种半导体集成电路的封装工艺,从晶圆的背部就开始研磨,将晶圆研磨到合适封装的厚度,开始划片前,使用蓝膜粘贴将晶圆的表面的电路部分保护起来,然后通过划片将晶圆的晶粒取下,利用粘合剂在晶粒粘合在基板中间的焊板上面,然后用细金属丝将管芯上面的金属电极与封装底座上面外引线相连,常用超声焊、热压焊和金属球焊,浇口注入模腔在整个过程中模具温度保持在170℃到180℃左右,通过二次工序,将引脚弯成一定的形状,适应装配的需要,再在封装的基板上面印上去不掉的字,方便识别和可跟踪;这一技术方案中,采用导电胶粘结的封装工艺,其封装的半导体集成电路热稳定性较差、易在高温下劣化、可靠性差。

4、因此,有必要提供一种半导体集成电路的封装工艺。


技术实现思路

1、本专利技术提供了一种半导体集成电路的封装工艺,通过封装工艺,可有效地将硅片封装为集成电路,既提高了封装工艺的自动化水平,又保证了集成电路成品的稳定性和可靠性,提高了集成电路的生产质量。

2、本专利技术提供了一种半导体集成电路的封装工艺,包括:

3、对硅片背面进行减薄,使硅片达到封装所需要的厚度,获得减薄后的硅片;

4、对减薄后的硅片,利用切片机进行切割,获得切割后的硅片;

5、将切割后的硅片,利用共晶固晶方式固定在封装基板中间的焊板上,获得固定后的硅片;

6、将固定后的硅片,利用引线键合方式焊接,获得焊接后的硅片;

7、将焊接后的硅片进行塑料封装。

8、进一步地,利用共晶固晶方式固定在封装基板中间的焊板上,包括:

9、基于全自动固晶机,利用超声波振荡产生约400°至500°的高温,使预先获取的共晶晶片底部的金锡合金层融化,以将硅片粘结固定在封装基板中间的焊板上。

10、进一步地,利用引线键合方式焊接,包括,基于焊线机,利用高纯度的金线、铜线或铝线,采用引线键合方式,将硅片上电路的外接点与引线框架上的连接点进行焊接;其中,引线键合方式为热超声波键合。

11、进一步地,还包括对焊接后的硅片进行质量测试,具体为:基于高精度推拉力测试仪,对引线颈部和引线尾部的拉力分别进行测试;基于光学3d测试仪,对引线弧高和焊接球厚度进行测试;基于禾苗光谱射线分析仪,对金属间化合物进行成分测试。

12、进一步地,基于注塑机对焊接后的硅片进行塑料封装,具体为:

13、将配置有焊接后的硅片的框架置于注塑机中;

14、基于注塑机中的吸尘控制按键,对框架进行吸尘处理;

15、基于注塑机中的注塑控制按键,对吸尘处理后的框架进行注塑处理;

16、基于注塑机中的去除边角料控制按键,对注塑处理后的框架进行去除边角料处理,获得塑料封装后的硅片。

17、进一步地,还包括基于切筋成型机,对塑料封装后的硅片进行成型处理,获得成型后的硅片。

18、进一步地,还包括基于全自动分选机,对成型后的硅片进行分选、刻字和编带的全自动处理,获得封装完成的集成电路。

19、进一步地,还包括基于x射线检测设备,对减薄后的硅片、切割后的硅片、固定后的硅片和焊接后的硅片进行无损检测;基于扫描式电子显微镜监测封装实施过程中的异常或故障。

20、进一步地,还包括对封装完成的集成电路进行工作性能测试,具体为:

21、利用设定的测试平台,配置控制器、测试电源、采样电路和模数转换电路;利用测试电源,为封装完成的集成电路封装引脚提供恒定电流;

22、利用采样电路,测量封装完成的集成电路的引脚电压;

23、利用模数转换电路,获取引脚电压所转换对应的数字信号;

24、利用控制器,将数字信号与设定的数字信号的标准取值进行判断比较,以判断集成电路的工作性能是否正常。

25、进一步地,还包括对固定后的硅片和焊接后的硅片进行等离子清洗,以获得符合要求的硅片,具体为:

26、基于等离子清洗设备对对固定后的硅片和焊接后的硅片进行等离子清洗,获得清洗待测硅片;

27、利用扫描式电子显微镜,结合高清相机,扫描获得清洗待测硅片的原始图像;

28、利用设定的测试平台中的处理器,基于设定的yolov8目标检测模型进行污染物、油污或油脂的目标检测,获得清洗待测硅片的检测结果;若检测结果满足等离子清洗所设定的清洗标准,则转入后续工艺步骤。

29、本专利技术与现有技术相比,具有如下的优点和有益效果:通过封装工艺,可有效地将硅片封装为集成电路,既提高了封装工艺的自动化水平,又保证了集成电路成品的稳定性和可靠性,提高了集成电路的生产质量。

30、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

31、下面通过附图和实施例,对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,利用共晶固晶方式固定在封装基板中间的焊板上,包括:

3.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,利用引线键合方式焊接,包括,基于焊线机,利用高纯度的金线、铜线或铝线,采用引线键合方式,将硅片上电路的外接点与引线框架上的连接点进行焊接;其中,引线键合方式为热超声波键合。

4.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,还包括对焊接后的硅片进行质量测试,具体为:基于高精度推拉力测试仪,对引线颈部和引线尾部的拉力分别进行测试;基于光学3D测试仪,对引线弧高和焊接球厚度进行测试;基于禾苗光谱射线分析仪,对金属间化合物进行成分测试。

5.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,基于注塑机对焊接后的硅片进行塑料封装,具体为:

6.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,还包括基于切筋成型机,对塑料封装后的硅片进行成型处理,获得成型后的硅片。

7.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,还包括基于全自动分选机,对成型后的硅片进行分选、刻字和编带的全自动处理,获得封装完成的集成电路。

8.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,还包括基于X射线检测设备,对减薄后的硅片、切割后的硅片、固定后的硅片和焊接后的硅片进行无损检测;基于扫描式电子显微镜监测封装实施过程中的异常或故障。

9.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,还包括对封装完成的集成电路进行工作性能测试,具体为:

10.根据权利要求9所述的一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,还包括对固定后的硅片和焊接后的硅片进行等离子清洗,以获得符合要求的硅片,具体为:

...

【技术特征摘要】

1.一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,利用共晶固晶方式固定在封装基板中间的焊板上,包括:

3.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,利用引线键合方式焊接,包括,基于焊线机,利用高纯度的金线、铜线或铝线,采用引线键合方式,将硅片上电路的外接点与引线框架上的连接点进行焊接;其中,引线键合方式为热超声波键合。

4.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,还包括对焊接后的硅片进行质量测试,具体为:基于高精度推拉力测试仪,对引线颈部和引线尾部的拉力分别进行测试;基于光学3d测试仪,对引线弧高和焊接球厚度进行测试;基于禾苗光谱射线分析仪,对金属间化合物进行成分测试。

5.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路的封装工艺,其特征在于,基于注塑机对焊接后的硅片进行塑料封装,具体为:...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟平权刘广金彭奇王焦
申请(专利权)人:东莞市通科电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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