【技术实现步骤摘要】
本申请涉及成像装置，特别涉及一种x射线衍射装置和控制方法。
技术介绍
1、高分辨x射线衍射技术具有无损、穿透性强等特点，在半导体量测技术中占有独特地位，在基底材料结晶质量、外延单晶薄膜的厚度、组分、应变等参数的测量中具有独特优势。在高分辨x射线衍射技术中，需要首先利用晶体单色器对x射线源产生的连续谱x射线进行单色化，再利用单色化的x射线束对待测材料进行量测。
2、x射线衍射装置通常使用平行x射线光路系统，x射线源发射x射线后，利用平行光镜对x射线进行准直，然后利用双晶或者四晶单色器对x射线进行单色化，产生单色平行衍射x射线束，单色平行衍射x射线束以相同的角度入射到待测材料上，使得照射到待测材料的单色平行衍射x射线束产生待测衍射x射线，再利用测角仪使x射线源与双晶单色器或者四晶单色器一起绕待测材料旋转，改变单色平行衍射x射线束入射到待测材料上的角度，对待测材料进行扫描，收集到待测材料的x射线衍射谱图。但是使用平行x射线光路系统进行探测时，需要旋转单色平行衍射x射线束的入射角度，在多个角度上均进行测量，且在多个角度上均需要花费单...
【技术保护点】
1.一种X射线衍射装置，其特征在于，包括试样台，X射线源，一维弯晶以及X射线探测器，其中：
2.根据权利要求1所述的X射线衍射装置，其特征在于，所述衍射面的形状包括柱面，所述柱面朝远离所述X射线源的方向凸起，所述柱面的准线沿所述X射线源至所述X射线探测器的方向延伸。
3.如权利要求2所述的X射线衍射装置，其特征在于，所述衍射面的边缘包括第一边，所述第一边平行于所述柱面的准线，所述第一边包括圆弧形边，所述圆弧形边的曲率符合罗兰圆曲率，在任意一个平行于所述第一边的截面上，所述X射线源和所述光斑分别位于所述罗兰圆的轨迹上，所述X射线源和所述光斑之间的...
【技术特征摘要】
1.一种x射线衍射装置，其特征在于，包括试样台，x射线源，一维弯晶以及x射线探测器，其中：
2.根据权利要求1所述的x射线衍射装置，其特征在于，所述衍射面的形状包括柱面，所述柱面朝远离所述x射线源的方向凸起，所述柱面的准线沿所述x射线源至所述x射线探测器的方向延伸。
3.如权利要求2所述的x射线衍射装置，其特征在于，所述衍射面的边缘包括第一边，所述第一边平行于所述柱面的准线，所述第一边包括圆弧形边，所述圆弧形边的曲率符合罗兰圆曲率，在任意一个平行于所述第一边的截面上，所述x射线源和所述光斑分别位于所述罗兰圆的轨迹上，所述x射线源和所述光斑之间的直线距离为l，所述罗兰圆的半径为r，所述x射线源入射到所述一维弯晶的入射角为θ，所述衍射面的晶面间距为d，所述第一x射线的波长为λ，满足：2d sinθ＝λ；2r sin 2θ＝l。
4.如权利要求2所述的x射线衍射装置，其特征在于，所述衍射面的边缘包括第一边，所述第一边平行于所述柱面的准线，所述第一边包括椭圆弧形边，所述椭圆弧形边的曲率符合椭圆面型，在任意一个平行于所述第一边的截面上，所述x射线源和所述光斑分别与所述椭圆的两个焦点重合，所述x射线源和所述光斑之间的直线距离为l，所述椭圆的半长轴为a，半短轴为b，所述x射线源入射到所述一维弯晶的入射角为θ，所述衍射面的晶面间距为d，所述第一x射线的波长为λ，满足：2d sinθ＝λ；a2+b2＝(l/2)2；ltanθ＝2b。
5.如权利要求1-4任一项所述的x射线衍射装置，其特征在于，所述一维弯晶的材料包括硅晶体、锗晶体或者石墨晶体。
6.如权利要求1-5任一项所述的x射线衍射装置，其特征在于，所述一维弯晶对所述第二x射线的能量展宽小于或者等于10ev。
7.如权利要求1-6任一项所述的x射线衍射装置，其特征在于，所述x射线衍射装置还包括固定座，所述固定座设置在所述一维弯晶背离所述x射线源的一侧，所述固定座和所述一维弯晶固定连接，所述固定座用于支撑所述一维弯晶。
8.如权利要求1-7任一项所述的x射线衍射装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘振，顾斌，
申请(专利权)人：深圳市新凯来工业机器有限公司，
类型：发明
国别省市：
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