【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏,特别是涉及一种薄膜厚度的测量方法及装置。
技术介绍
1、太阳能电池上的多晶硅薄膜、氮化硅薄膜等薄膜的厚度会影响太阳能电池的性能。在制备太阳能电池的过程中,需要对薄膜的厚度进行管控。
2、现有技术中,一般采用激光椭偏仪测量薄膜厚度。但采用激光椭偏仪测量薄膜厚度,对激光镜头及待测薄膜放置的要求较高,且操作复杂,不适合大批量测试薄膜厚度。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种薄膜厚度的测量方法及装置,旨在解决现有技术中采用激光椭偏仪测量薄膜厚度对激光镜头及待测薄膜放置的要求较高,且操作复杂,不适合大批量测试薄膜厚度的问题。
2、本专利技术的第一方面,提供一种薄膜厚度的测量方法,所述方法包括:
3、将目标薄膜形成在目标衬底上;
4、获取位于所述目标衬底上的所述目标薄膜的颜色信息;
5、将所述目标衬底上的所述目标薄膜的颜色信息,输入预设的厚度测量模型,所述预设的厚度测量模型输出所述目标薄膜的厚度。
6、本专利
...【技术保护点】
1.一种薄膜厚度的测量方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的薄膜厚度的测量方法,其特征在于,所述目标薄膜包括:多晶硅薄膜或氮化硅薄膜。
3.根据权利要求2所述的薄膜厚度的测量方法,其特征在于,在所述目标薄膜为多晶硅薄膜的情况下,所述目标衬底包括硅基底和夹层形成的叠层结构,所述目标薄膜位于所述夹层远离所述硅基底的一侧;
4.根据权利要求3所述的薄膜厚度的测量方法,其特征在于,在所述夹层的材料选自:二氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃中的任意一种的情况下,所述夹层的厚度为50nm至150nm;
5.根据权利要求2所述的薄
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜厚度的测量方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的薄膜厚度的测量方法,其特征在于,所述目标薄膜包括:多晶硅薄膜或氮化硅薄膜。
3.根据权利要求2所述的薄膜厚度的测量方法,其特征在于,在所述目标薄膜为多晶硅薄膜的情况下,所述目标衬底包括硅基底和夹层形成的叠层结构,所述目标薄膜位于所述夹层远离所述硅基底的一侧;
4.根据权利要求3所述的薄膜厚度的测量方法,其特征在于,在所述夹层的材料选自:二氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃中的任意一种的情况下,所述夹层的厚度为50nm至150nm;
5.根据权利要求2所述的薄膜厚度的测量方法,其特征在于,在所述目标薄膜为氮化硅薄膜的情况下,所述目标衬底包括硅基底。
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘向东,彭鑫,蔡伦,吴新荣,闫用用,
申请(专利权)人:一道新能源科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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