【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体加工，具体是一种用于等离子体的防扩散污染装置及其使用方法。
技术介绍
1、等离子体加工常处于真空环境中，并对真空环境有较高的要求，等离子发生设备源源不断地产生等离子体，持续输出的等离子体在真空环境中四处飘移，不对产生的等离子体加以处理，会对真空环境造成污染，影响加工效率以及加工效果。
2、在等离子体加工过程中，为使工件表面能够达到加工要求，必须有效控制加工过程中真空环境中的等离子体飘移，减少真空环境中的等离子体。目前的装置一般只能控制等离子体的溅射，不能限制等离子体的飘移。
技术实现思路
1、本申请提供了一种用于等离子体的防扩散污染装置，当离子束在不加工工件时，进而避免产生的等离子体会溅射真空腔体中造成污染。
2、一方面，本申请提供的一种用于等离子体的防扩散污染装置，包括基座以及可拆卸安装在基座上的盖板；所述基座开设有供离子源激发射入的中空腔，所述盖板开设有与所述中空腔连通的连通孔；所述基座位于所述中空腔的一侧可拆卸安装有抽吸管，所述抽吸管的腔...
【技术保护点】
1.一种用于等离子体的防扩散污染装置，其特征在于，包括基座（1）以及可拆卸安装在基座（1）上的盖板（2）；所述基座（1）开设有供离子源激发射入的中空腔（11），所述盖板（2）开设有与所述中空腔（11）连通的连通孔（21）；所述基座（1）位于所述中空腔（11）的一侧可拆卸安装有抽吸管（3），所述抽吸管（3）的腔室与所述中空腔（11）的腔室连通。
2.如权利要求1所述的用于等离子体的防扩散污染装置，其特征在于，所述基座（1）位于所述中空腔（11）的腔壁形成有供离子源运行的抛物面；所述盖板（2）的底部环绕设置有导流板（22）；所述导流板（22）位于所述中空腔（1...
【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体的防扩散污染装置，其特征在于，包括基座（1）以及可拆卸安装在基座（1）上的盖板（2）；所述基座（1）开设有供离子源激发射入的中空腔（11），所述盖板（2）开设有与所述中空腔（11）连通的连通孔（21）；所述基座（1）位于所述中空腔（11）的一侧可拆卸安装有抽吸管（3），所述抽吸管（3）的腔室与所述中空腔（11）的腔室连通。
2.如权利要求1所述的用于等离子体的防扩散污染装置，其特征在于，所述基座（1）位于所述中空腔（11）的腔壁形成有供离子源运行的抛物面；所述盖板（2）的底部环绕设置有导流板（22）；所述导流板（22）位于所述中空腔（11）内将所述中空腔（11）分隔成第一导流腔（111）以及第二导流腔（112）；所述第一导流腔（111）与离子源所处空间相通，所述导流板（22）的底部与所述中空腔（11）底部的腔壁设有间隙（113），所述间隙（113）连通所述第一导流腔（111）和所述第二导流腔（112）。
3.如权利要求2所述的用于等离子体的防扩散污染装置，其特征在于，所述导流板（22）包括一体形成的连接部（221）、内凹部（222）以及外凸部（223），所述连接部（221）与所述盖板（2）的底部连接；所述内凹部（222）朝所述第一导流腔（111）的腔室方向向内凹陷；所述外凸部（223）向所述中空腔（11）底部的腔壁延伸，所述间隙（113）位于所述外凸部（223）与所述中空腔（11）底部的腔壁之间。
4.如权利要求2所述的用于等离子体的防扩散污染装置，其特征在于，所述基座（1）位于所述中空腔（11）抛物面的侧壁上开设有抽吸孔（12），所述抽吸孔（12）的长度方向平行于曲面的切线方向；所述抽吸管（3）固定并穿设所述抽吸孔（12）。
5.如权利要求4所述的用于等离子体的防扩散污染装置，其特征在于，所述抽吸管（3）包括第一管道（31）以及与所述第一管道（31）垂直连接的第二管道（32），所述第一管道（31）穿设所述抽...
【专利技术属性】
技术研发人员：李晓静，朱航，蒋凯，巩书通，张旭，黄思玲，
申请(专利权)人：中国兵器科学研究院宁波分院，
类型：发明
国别省市：
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