双列直插式内存模块连接器和计算机内存模块制造技术

本发明专利技术公开了一种双列直插式内存模块连接器和计算机内存模块，涉及计算机存储技术领域，其中，双列直插式内存模块连接器包括内存插座焊盘和抵接结构，抵接结构包括设于内存插座焊盘一侧的第一抵接端和第二抵接端，第一抵接端和第二抵接端间隔设置，第一抵接端和第二抵接端分别朝向内存插座焊盘延伸出第一引脚和第二引脚，第一引脚和第二引脚均连接内存插座焊盘；本发明专利技术技术方案中，第一引脚和第二引脚设置较短，内存条在外力施加并结合外部卡槽提供的限位作用下使得第一引脚和第二引脚形变，从而产生恢复形变的弹力与第一引脚和第二引脚压接实现电连接，由于引脚长度较小，stub效应不显著，进一步减小了对DIMM信号的不良影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及计算机存储，特别涉及一种双列直插式内存模块连接器和计算机内存模块。

技术介绍

1、双列直插式内存模块连接器，通常简称为dimm(dual in-line memory module)，是一种常见的内存模块接口标准。这种连接器设计允许内存模块插入到计算机主板的内存插槽中。dimm连接器通常具有两个排列在一起的插槽，内存条上的金属触点与插槽中的引脚相匹配，以确保正确的插入和连接。这种双列设计使得内存模块的密度更高，因为可以在较小的空间内容纳更多的内存芯片。

2、针对双列直插式内存模块连接器而言，当前方插槽处于空闲状态(即不插内存条)，后方插槽插接有内存条时，当信号通过前方引脚的分路时，一部分信号会继续沿着主线传播，而另一部分信号会从分路反射回来，当引脚长度过长时，如图1所示，这种反射可能导致信号失真或干扰其他信号，即产生stub效应。

3、stub效应的存在会对dimm信号产生非常不利的影响，是制约dimm速率的重要因素。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的是提出一种双列本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双列直插式内存模块连接器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的双列直插式内存模块连接器，其特征在于，所述第一抵接端(211)和所述第二抵接端(212)背向所述内存插座焊盘(1)的一侧均设有弧形抵接面，所述弧形抵接面用以与所述内存条(3)抵接。

3.如权利要求2所述的双列直插式内存模块连接器，其特征在于，所述抵接结构(2)包括多个均匀间隔设置的第一引脚(221)和多个均匀间隔设置的第二引脚(222)，各所述第一引脚(221)远离所述内存插座焊盘(1)的一端和各所述第二引脚(222)远离所述内存插座焊盘(1)的一端分别设有一所述第一抵接端(211)和一所...

【技术特征摘要】

1.一种双列直插式内存模块连接器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的双列直插式内存模块连接器，其特征在于，所述第一抵接端(211)和所述第二抵接端(212)背向所述内存插座焊盘(1)的一侧均设有弧形抵接面，所述弧形抵接面用以与所述内存条(3)抵接。

3.如权利要求2所述的双列直插式内存模块连接器，其特征在于，所述抵接结构(2)包括多个均匀间隔设置的第一引脚(221)和多个均匀间隔设置的第二引脚(222)，各所述第一引脚(221)远离所述内存插座焊盘(1)的一端和各所述第二引脚(222)远离所述内存插座焊盘(1)的一端分别设有一所述第一抵接端(211)和一所述第二抵接端(212)。

4.如权利要求1至3中任一项所述的双列直插式内存模块连接器，其特征在于，所述第一引脚(221)和所述第二引脚(222)的材料为弹性金属材料。

5.如权利要求1至3中任一项所述的双列直插式内存模块连接器，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚艳鸿，李健健，李孝群，
申请(专利权)人：广东鸿钧微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：