一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法，具体包括以下步骤：将氮化硅和烧结助剂与分散剂混合研磨，并进行干燥装模烧结；所述烧结方法为：先升温至1800‑2000℃保持0.5‑1.5h后再在氮气和甲烷气氛中降温至1600‑1800℃保持1‑2h。所述氮化硅为α‑氮化硅和β‑氮化硅的混合物料，其中β‑氮化硅占α‑氮化硅质量的1‑10％。在α‑氮化硅加入一定比例的β‑氮化硅，在烧结过程中会通过溶解析出机制促进α→β相变，α→β相变不仅加速了晶体结构的演变，还使得β‑氮化硅颗粒较为分散，添加的β‑氮化硅晶种在烧结过程中更快地发育，具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无机非金属材料制备领域，尤其涉及一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法。

技术介绍

1、氮化硅(si3n4)是一种无机化合物，其晶体结构多种多样，其中等轴状α-氮化硅和棒状β-氮化硅是最为常见的两种形态，均为六方晶系。氮化硅是一种优秀的先进陶瓷材料，具有众多优异性能。它在高温环境下表现稳定，具有高强度和硬度的同时，还具备良好的韧性和抗蠕变性能。此外，它的耐氧化、耐磨损和抗热震性也使其在各种极端条件下表现出色，优异的介电性能和高热导率使得氮化硅在电子器件和热管理领域有广泛的应用，而其出色的高频电磁波传输性能则使其在通信技术等领域备受青睐。这一系列特性赋予了氮化硅普遍的适用性，使其在航空航天、半导体制造、能源、医疗设备和通信等多个领域中得到广泛应用。

2、目前氮化硅陶瓷基板材料的实际热导率得到不断提高，但是还存在高热导率氮化硅陶瓷难以用于基板材料、实际热导率与理论热导率仍有不少差距等问题。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本专利技术提供一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法，采用本专利技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：将氮化硅和烧结助剂与分散剂混合研磨，并进行干燥装模具烧结；

2.根据权利要求1所述一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述氮化硅为α-氮化硅和β-氮化硅的混合物料。

3.根据权利要求2所述一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述β-氮化硅占α-氮化硅质量的1-10％。

4.根据权利要求1所述一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述烧结助剂为活性炭和硅的混合物。

5.根据权利要求1所述一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述分...

【技术特征摘要】

1.一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：将氮化硅和烧结助剂与分散剂混合研磨，并进行干燥装模具烧结；

2.根据权利要求1所述一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述氮化硅为α-氮化硅和β-氮化硅的混合物料。

3.根据权利要求2所述一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述β-氮化硅占α-氮化硅质量的1-10％。

4.根据权利要求1所述一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述烧结助剂为活性炭和硅的混合物。

5.根据权利要求1所述一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述分散剂为无水乙醇。

6.根据权利要求1所述一种高纯度氮化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述混合研磨方法为...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈博，蒋学鑫，
申请(专利权)人：安徽壹石通材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：