一种芯片封装用环氧灌封胶的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片封装用环氧灌封胶的制备方法，属于环氧胶技术领域，包括以下步骤：向环氧树脂中加入阻燃剂，搅拌混合，再向其中加入导热填料、稀释剂和增韧剂，搅拌混合，再向其中加入分散剂、消泡剂和偶联剂，搅拌混合，搅拌完毕后，抽真空，继续搅拌混合，得到组分A；将环氧固化剂和促进剂搅拌混合，搅拌完毕后，抽真空，继续搅拌混合，得到组分B；将组分A和组分B搅拌混合，搅拌混合完毕后，得到芯片封装用环氧灌封胶。本发明专利技术通过进行导热填料和阻燃剂的改进，提高环氧灌封胶的导热性能和阻燃性能，本发明专利技术制备的环氧灌封胶的导热系数≥1.4(w/(m·k)；25℃)，极限氧指数≥37%，阻燃级别达到V‑0。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于环氧胶，具体涉及一种芯片封装用环氧灌封胶的制备方法。

技术介绍

1、芯片作为电子产品的核心部件，其封装材料的选择尤为关键，环氧灌封胶因其优异的防潮、防震、隔热、防摩擦和绝缘性能，被广泛应用于芯片封装领域，随着芯片集成度的不断提高，对环氧灌封胶的导热阻燃性能的需求不断提高，现有技术中通过向环氧树脂中添加导热填料和阻燃剂的方式进行导热阻燃性能的提升，其中，六方氮化硼是常用的导热填料，磷系阻燃剂是现阶段研究较为深入的阻燃体系。

2、六方氮化硼具有高导热性、低介电常数和优异的热稳定性和电绝缘性，但是其表面缺乏足够的活性官能团，限制其广泛运用，现有技术中常利用球磨等机械化学的方式进行六方氮化硼的改性，主要在b原子上形成羟基，但是球磨过程中会导致六方氮化硼中b-n键的断裂，如果球磨过程中存在其他活性官能团，会直接与b和n上的位点发生反应，导致六方氮化硼结构发生破坏，导热性能显著降低。

3、磷系阻燃剂具有优良的阻燃性和稳定性，其中，9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物作为一种高效含磷阻燃剂在环氧树脂体系中被广泛运用，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片封装用环氧灌封胶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、向环氧树脂中加入阻燃剂，搅拌混合，再向其中加入导热填料、稀释剂和增韧剂，搅拌混合，再向其中加入分散剂、消泡剂和偶联剂，搅拌混合，搅拌完毕后，抽真空，继续搅拌混合，得到组分A；

2.根据权利要求1所述的一种芯片封装用环氧灌封胶的制备方法，其特征在于，S1中所述环氧树脂、导热填料、阻燃剂、稀释剂、增韧剂、分散剂、消泡剂和偶联剂的质量比为37～40:15～20:4～7:3～4:12～15:1～2:1～2:1～2。

3.根据权利要求2所述的一种芯片封装用环氧灌封胶的制备方法，其特征在于，所述环氧树脂的...

【技术特征摘要】

1.一种芯片封装用环氧灌封胶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、向环氧树脂中加入阻燃剂，搅拌混合，再向其中加入导热填料、稀释剂和增韧剂，搅拌混合，再向其中加入分散剂、消泡剂和偶联剂，搅拌混合，搅拌完毕后，抽真空，继续搅拌混合，得到组分a；

2.根据权利要求1所述的一种芯片封装用环氧灌封胶的制备方法，其特征在于，s1中所述环氧树脂、导热填料、阻燃剂、稀释剂、增韧剂、分散剂、消泡剂和偶联剂的质量比为37～40:15～20:4～7:3～4:12～15:1～2:1～2:1～2。

3.根据权利要求2所述的一种芯片封装用环氧灌封胶的制备方法，其特征在于，所述环氧树脂的牌号为der-331；所述稀释剂为聚乙二醇缩水甘油基十二烷基醚；所述增韧剂为wd-401型增韧剂；所述分散剂为分散剂byk-w980；所述消泡剂为消泡剂byk-054和消泡剂byk-057中的一种；所述偶联剂为硅烷偶联剂kh-560和钛酸酯偶联剂jtw-201按照质量比3～4:1～2混合而成。

4.根据权利要求1所述的一种芯片封装用环氧灌封胶的制备方法，其特征在于，s2中所述环氧固化剂和促进剂的质量比为10:0.5～1.0。

5.根据权利要求4所述的一种芯片封装用环氧灌封胶的制备方法，其特征在于，所述环氧固化剂由甲基四氢苯酐和甲基纳迪克酸酐按照质量比9.0～9.5:1混合而成；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志文，刘信庆，何超良，隋虎波，
申请(专利权)人：亚海新材料科技山东有限公司，
类型：发明
国别省市：