【技术实现步骤摘要】
本技术涉及碳化硅剥离,具体为一种平面式碳化硅剥离设备。
技术介绍
1、目前在对碳化硅晶锭进行切片加工时,由于激光聚焦在平行于碳化硅晶锭基面的切割面上,局部加热产生高密度位错,在碳化硅晶锭的预定深度处形成一层很薄的混有非晶硅、非晶碳和非晶碳化硅的非晶层,针对这一非晶层的形成,一般需要对切片后的碳化硅晶锭进行电解光电化学腐蚀剥离处理;
2、经检索,在公开号为“cn217869171u”的现有专利中“公开了一种平面式碳化硅剥离设备,包括设有电解容器,平面式电极总成,照射光源的光电化学腐蚀装置……绝缘层用于在碳化硅晶锭粘在导电胶层后,包覆阳极板和导电胶层的裸露部分。如此使在利用光电化学腐蚀装置剥离碳化硅晶圆片时,能同时对多个碳化硅晶锭进行剥离,以减少耗时,提升效率,实现碳化硅晶圆片的高效量产”记载得出现有的平面式碳化硅剥离设备能够同时剥离多个碳化硅晶锭,提高工作效率;
3、但实际使用上述提到的平面式碳化硅剥离设备将多个碳化硅晶锭形成的非晶层剥离下来后,通常工作人员会利用工具将多个碳化硅晶锭一一取出,考虑非晶层剥离下来后池
...【技术保护点】
1.一种平面式碳化硅剥离设备,包括电解剥离池(1),其特征在于:所述电解剥离池(1)的内部左上方位置设有左托架(2),且电解剥离池(1)的内部右上方位置设有右托架(3),所述右托架(3)和左托架(2)之间通过侧连杆(4)相连接,所述电解剥离池(1)的内部中上方位置设有绝缘托座(5),所述右托架(3)和左托架(2)的斜面中部位置分别设有滤网(6),且右托架(3)和左托架(2)的底部一侧前后两端分别固定连接有竖向支杆(7),一组所述竖向支杆(7)之间通过水平支杆(9)相连接,所述电解剥离池(1)的两侧中部下方位置分别固定安装有伸缩杆(10),所述竖向支杆(7)的一侧位置固
...【技术特征摘要】
1.一种平面式碳化硅剥离设备,包括电解剥离池(1),其特征在于:所述电解剥离池(1)的内部左上方位置设有左托架(2),且电解剥离池(1)的内部右上方位置设有右托架(3),所述右托架(3)和左托架(2)之间通过侧连杆(4)相连接,所述电解剥离池(1)的内部中上方位置设有绝缘托座(5),所述右托架(3)和左托架(2)的斜面中部位置分别设有滤网(6),且右托架(3)和左托架(2)的底部一侧前后两端分别固定连接有竖向支杆(7),一组所述竖向支杆(7)之间通过水平支杆(9)相连接,所述电解剥离池(1)的两侧中部下方位置分别固定安装有伸缩杆(10),所述竖向支杆(7)的一侧位置固定连接有导向滑条(8)。
2.根据权利要求1所述的一种平面式碳化硅剥离设备,其特征在于:所述左托架(2)、右托架(3)分别和绝缘托座(5)固定连接,且绝缘托座(5)的顶端中部位置设有平面式电极总成(11),所述平面式电极总成(11)的后方位置固定连接有侧滑座(13),且侧滑座(13)的内侧滑动连接有侧撑杆(12),所述侧撑杆(12)内嵌安装于电解剥离池(1)的内部。
3.根据权利要求1所述的一种平面式碳化硅剥离设备,其特征在于:所述电解剥离池(1)的底端位置设有加热底座(14),...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓磊,杨明晨,
申请(专利权)人:滕州市富晶新材料有限公司,
类型:新型
国别省市:
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