一种多晶硅生产还原智能控制方法及多晶硅技术

一种多晶硅生产还原智能控制方法及多晶硅，其包括：将得到的SiHCl3加入还原炉中进行氢还原反应，生成沉淀于硅芯上的多晶硅，形成多晶硅棒;在进行氢化还原的过程中，通过观察窗口拍摄连续图像，基于连续图像获取多晶硅沉淀参数，基于所述沉淀参数控制物料的加入以及温度控制；本发明专利技术通过智能化控制,减少了物料损耗和生产步骤,提高了还原效率,使得多晶硅棒的沉积速度均衡稳定,成品质量稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及智能生产控制领域，具体涉及一种多晶硅生产还原智能控制方法及多晶硅。本申请是于2022年12月26日提交的申请号为202211676950.7的专利技术专利申请、专利技术名称为“一种多晶硅的生产还原方法及多晶硅”的分案申请。

技术介绍

1、多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅是半导体工业、电子信息产业、太阳能光伏电池产业的最主要、最基础的功能性材料。主要用做半导体的原料，是制做单晶硅的主要原料，可作各种晶体管、整流二极管、可控硅、太阳能电池、集成电路、电子计算机芯片以及红外探测器等。

2、现有技术中往往采用硅烷法和西门子法制备多晶硅。硅烷法制备多晶硅主要技术是将冶金级硅粉与四氯化硅和氢气转化为三氯氢硅，再将三氯氢硅通过精馏工序提纯及歧化反应，生成电子级硅烷气送至多晶硅反应器，通过化学气相沉积(cvd)生长成多晶态硅棒。改良西门子法是一种化学方法，首先利用冶金硅与氯化氢合成产生便于提纯的三氯氢硅气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多晶硅生产还原智能控制方法，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于：还原反应的温度为950～1300℃，压力为0.08～1.2MPa。

3.根据权利要求2中所述的方法，其特征在于：还原炉中设置有入气口阵列,用于从不同位置喷入物料。

4.根据权利要求3中所述的方法，其特征在于：所述物料是H2和SiHCl3。

5.根据权利要求4中所述的方法，其特征在于：通过高速摄像机获取连续图像。

6.根据权利要求5中所述的方法，其特征在于：所述高速摄像机和控制器无线或有线连接，将获取的图像发送给控制器进行分析。...

【技术特征摘要】

1.一种多晶硅生产还原智能控制方法，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于：还原反应的温度为950～1300℃，压力为0.08～1.2mpa。

3.根据权利要求2中所述的方法，其特征在于：还原炉中设置有入气口阵列,用于从不同位置喷入物料。

4.根据权利要求3中所述的方法，其特征在于：所述物料是h2和sihcl3。

5.根据权利要求4中所述的方法，其特征在于：通过高速摄像机获取连续图像。

6.根据权利要求5中所述的方法，其特征在于：所述高速摄像机和控制器无线或有线连接，将获取的图像发送...

【专利技术属性】
技术研发人员：马英中，李峰，王盼盼，吕雄强，董德智，陈彦玺，张彦辉，路小卫，马强龙，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：宁夏润阳硅材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：