【技术实现步骤摘要】
示例实施例涉及半导体装置和/或制造该半导体装置的方法。更具体地，示例实施例涉及包括结构化地彼此键合的第一基底和第二基底的半导体装置和/或制造该半导体装置的方法。
技术介绍
1、为了改善铜-铜(cu-cu)晶圆键合的质量，可能需要在化学机械抛光(cmp)工艺之后精细地控制表面中的水平差(或高度差)。如果不能充分控制水平差，则在cmp工艺之后要执行的晶圆键合工艺中可能产生空隙，导致质量劣化。为了防止表面中的这种阶梯部分，可以形成金属的虚设图案。然而，存在的问题是在随后的锯切工艺期间发生金属污染缺陷。
技术实现思路
1、一些示例实施例提供了具有能够改善晶圆键合质量的结构的半导体装置。
2、一些示例实施例提供了制造该半导体装置的方法。
3、根据示例实施例，半导体装置包括第一基底结构和堆叠在第一基底结构上的第二基底结构，第一基底结构包括：第一基底，具有第一管芯区域和围绕第一管芯区域的第一划片区域；多个第一键合垫，在第一管芯区域中设置在第一基底的表面上；第一钝化层，在第一基底的...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第一虚设图案和所述多个第二虚设图案彼此直接键合。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第一虚设图案和所述多个第二虚设图案包括第一电介质材料。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一钝化层和第二钝化层包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一电介质材料具有通过化学机械抛光的第一抛光速率，第二电介质材料具有通过化学机械抛光的第二抛光速率，并且第一抛光速率大于第二抛光速率。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第一虚设图案和所述多个第二虚设图案彼此直接键合。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第一虚设图案和所述多个第二虚设图案包括第一电介质材料。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一钝化层和第二钝化层包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一电介质材料具有通过化学机械抛光的第一抛光速率，第二电介质材料具有通过化学机械抛光的第二抛光速率，并且第一抛光速率大于第二抛光速率。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一电介质材料包括氧化硅，并且第二电介质材料包括碳氮化硅。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第一虚设图案和所述多个第二虚设图案中的每个虚设图案具有在0.1μm至1μm的范围内的宽度。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第一键合垫的被第一钝化层暴露的上表面和所述多个第一虚设图案的被第一钝化层暴露的上表面处于同一平面，并且
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一基底结构还包括多个第三虚设图案，所述多个第三虚设图案在第一管芯区域中位于第一钝化层中，并且
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二基底包括芯区域，感测放大器和子字线驱动器设置在芯区域中，并且第一基底包括存储器单元阵...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙成旻，金石镐，朴首玟，李圭夏，蒋妵希，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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