【技术实现步骤摘要】
本专利技术为一种返送限制电路及使用该电路的电源调节器,尤其是有关于一种使用主动式返送限制电路的电源调节器。
技术介绍
传统的方法如图1及图2所示。 —般而言,在直流电压稳压器(电源调节器)的应用中,都会有一些保护电路,而这些保护电路有过电压保护、过温度保护以及短路电流保护,其中短路电流保护可以利用一返送电流限制电路(foldback current limiting circuit)来实现。返送电流限制的机制,最常利用阶段性改变检测电流的大小,来达到较小的限制电流。 图1与图2为返送电流限制电路的现有技术,图1利用晶体管M皿来检测功率晶体管M1Q1的电流,当发生过电流的状况时,电阻RS1M上的压降足以让晶体管M1Q5导通,此时会有一充电电流将M皿的栅极电压VEQ1给箝制住,达到初始的限流目的。 在图1中的晶体管M皿,与电阻Rs皿为返送电流限制电路,目的为短路电流保护。当发生输出电压短路的状况时,晶体管M^将关闭,此时流过电阻Rs皿的电流增加,所以晶体管M1Q5的充电电流也随之增加,如此M皿的栅极电压,将会被箝制住在更高的电压准位,让短路电流限制在较低的状态。 在 ...
【技术保护点】
一种电源调节器,其特征在于,至少包含:一P型功率晶体管,其源极接收一未调节的第一电压源依据一控制信号而于漏极产生一被调节的第二电压;一反馈电路,其经由对该第二电压的分压产生一反馈信号;一差动放大器,其输出耦合至该功率晶体管的栅极,其正输入端耦合至该反馈信号,其负输入端耦合至一参考电压;一保护电路,该保护电路被组态为限制流经该P型功率晶体管的第一电流,且当第一电流超过一预定值时,提高该该功率晶体管的栅极的电压;其中,该保护电路进一步包含一第一直流电流镜,该第一直流电流镜包括一对N型晶体管,该对N型晶体管栅极对栅极相接,其中一N型晶体管栅极与漏极相接为输入端,另一N型晶体管的漏 ...
【技术特征摘要】
一种电源调节器,其特征在于,至少包含一P型功率晶体管,其源极接收一未调节的第一电压源依据一控制信号而于漏极产生一被调节的第二电压;一反馈电路,其经由对该第二电压的分压产生一反馈信号;一差动放大器,其输出耦合至该功率晶体管的栅极,其正输入端耦合至该反馈信号,其负输入端耦合至一参考电压;一保护电路,该保护电路被组态为限制流经该P型功率晶体管的第一电流,且当第一电流超过一预定值时,提高该该功率晶体管的栅极的电压;其中,该保护电路进一步包含一第一直流电流镜,该第一直流电流镜包括一对N型晶体管,该对N型晶体管栅极对栅极相接,其中一N型晶体管栅极与漏极相接为输入端,另一N型晶体管的漏极为输出端;以及一主动式返送电流限制电路,其用以限制流经该P型功率晶体管的该第一电流,且当该P型功率晶体管发生短路电流时,增加该保护电路中该直流电流镜输出端的电流。2. 如权利要求l所述的电源调节器,其特征在于,的主动式返送电流限制电路至少包含一多组的电流源,且该电流源为P型晶体管所组成;一多组的N型晶体管电流镜,该多组的电流镜其输入分别接于该多组的电流源,其输 出接于该第一直流电流镜的输出;以及一多组的N型晶体管开关,其用以控制该多组的N型晶体管电流镜是否导通。3. 如权利要求1所述的电源调节器,其特征在于,的主动式返送电流限制电路至少包含一多组的电流源,且该电流源为P型晶体管所组成;一多组的反向器,该多组的反向器其P型晶体管的源极分别由该多组的电流源供给电 流;以及一多组的P型晶体管开关,其用以控制该多组的P型晶体管电流源是否供给电流至该 第一直流电流镜的输出,而其栅极耦合于该多组的反向器的输出;其中,该多组的P型晶体 管电流镜其输出耦合于该第一直流电流镜的输出。4. 如权利要求2所述的电源调节器,其特征在于,的主动式返送电流限制电路的N型晶 体管开关的一耦合于该P型功率晶体管的漏极。5. 如权利要求2所述的电源调节器,其特征在于,的主动式返送电流限制电路的N型晶 体管开关的一耦合于该反馈电路的输出。6. 如权利要求2所述的电源调节器,其特征在于,的主动式返送电流限制电路的N型晶 体管开关其临限电压依照该第二电压与该功率晶体管的短路电流的所需而设定。7. 如权利要求3所述的电源调节器,其特征在于,的主动式返送电流限制电路的反向 器的一输入端耦合于该P型功率晶体管的漏极。8. 如权利要求3所述的电源调节器,其特征在于,的主动式返送电流限制电路的反向 器的一输入端耦合于该反馈电路的输出。9. 如权利要求3所述的电源调节器,其特征在于,的主动式返送电流限制电路的反向 器中的N型晶体管其临限电压依照该第二电压与该功率晶体管的短路电流的所需而设定。10. —种电源调节器,其特征在于,至少包含一 P型功率...
【专利技术属性】
技术研发人员:简铭宏,
申请(专利权)人:盛群半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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