一种AI智能芯片电感用软磁铁氧体材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及软磁铁氧体材料技术领域，公开了一种AI智能芯片电感用软磁铁氧体材料，包括主成分、辅助成分A、辅助成分B、高熵掺杂物和碳粉，其中主成分组分和重量百分比为：Fe2O370.07％‑70.77％；MnO29.20％‑29.85％；ZnO0.03％‑0.08％；辅助成分A：CaCO30.01％‑0.25％；Nb2O50.01％‑0.10％；NiO 0.01％‑0.10％；SnO20.01％‑0.05％；Co3O40.05％‑0.40％中的三种或三种以上；辅助成分B：SiO20.01％‑0.02％、Y2O30‑0.02％、K2CO30.01％‑0.02％、Al2O30‑0.01％、CuO 0.01％‑0.04％、MoO 0.01％‑0.05％、Bi2O30‑0.05％中高熵掺杂物的质量百分比为0.01％‑0.015％；碳粉的质量百分比为1％‑1.3％。具有符合宽频低损耗要求，又满足高饱和磁通密度、高抗饱和能力的多重优良特性效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及软磁铁氧体材料，特别涉及一种ai智能芯片电感用软磁铁氧体材料及其制备方法。

技术介绍

1、随着ai人工智能、自动驾驶等大算力的应用场景及技术发展,gpu、cpu等芯片起到关键作业，作为前端供电给芯片的电感，要求具有高效率、小体积、能够响应大电流变化从而更适合用于高功率芯片运行。

2、这就要求芯片电感使用的铁氧体材料具有宽频、高bs、低损耗的特性。但随着使用频率上升，磁芯损耗快速上升，损耗机理也会发生变化。本材料就定位为攻克这些技术难题，应对高频化的关键材料。行业内，为了降低高频低损耗，科技技术人员做了大量的研究，包括主配方、辅助成分以及工艺方法等，比如公开号cn200910133729.5文献公开了一种高频低损耗铁氧体材料，通过把氧化铁fe2o3的量限制在53-56mol％范围，碳酸锰mnco3的量限制在34-41mol％范围，氧化锌zno的量限制在6-10mol％范围内，实现了高频低损耗材料，但该文献所示材料只实现了500khz、50mt、100℃条件下损耗<70mw/cm 3，且最低损耗＞59mw/cm3，可见实现一种在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种AI智能芯片电感用软磁铁氧体材料，其特征在于：包括主成分、辅助成分A、辅助成分B、高熵掺杂物和碳粉，其中主成分组分和重量百分比为：

2.根据权利要求1所述的一种AI智能芯片电感用软磁铁氧体材料，其特征在于：所述高熵掺杂物为MFe2O4，其中M＝(Mg，Fe，Co，Ni，Mn)。

3.根据权利要求2所述的一种AI智能芯片电感用软磁铁氧体材料，其特征在于：所述高熵掺杂物的制备方法如下：1、称取摩尔分数比为1：1：1：1：1的MgO，FeO，CoO，NiO，MnO的粉料，将其置于聚四氟乙烯球磨罐中球磨混匀，球磨介质采用玛瑙球和无水乙醇，转速为300ppm，球磨时...

【技术特征摘要】

1.一种ai智能芯片电感用软磁铁氧体材料，其特征在于：包括主成分、辅助成分a、辅助成分b、高熵掺杂物和碳粉，其中主成分组分和重量百分比为：

2.根据权利要求1所述的一种ai智能芯片电感用软磁铁氧体材料，其特征在于：所述高熵掺杂物为mfe2o4，其中m＝(mg，fe，co，ni，mn)。

3.根据权利要求2所述的一种ai智能芯片电感用软磁铁氧体材料，其特征在于：所述高熵掺杂物的制备方法如下：1、称取摩尔分数比为1：1：1：1：1的mgo，feo，coo，nio，mno的粉料，将其置于聚四氟乙烯球磨罐中球磨混匀，球磨介质采用玛瑙球和无水乙醇，转速为300ppm，球磨时间为4h；2、将球磨后的浆料置于60℃的烘箱中烘干，然后通过120目的分样筛筛分得到均匀混合的高熵掺杂物原料粉末。

4.一种根据权利要求1-3任一所述的ai智能芯片电感用软磁铁氧体材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种ai智能芯片电感用软磁铁氧体材料的制备方法，其特征在于：所述步骤s2中按照砂磨浆料总重量添加...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘关生，王举西，廖甫正，谭福荣，邹庆马，
申请(专利权)人：广东汉磁电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：