一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法技术

本发明专利技术提供了一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法，属于碳化硅陶瓷技术领域；所述方法包括碳化硅预处理、包覆、改性包覆颗粒、氨基化碳纤维、制备浆料、成型、烧结；所述二次改性，将一次改性包覆颗粒置于丙酮溶液中，搅拌均匀后，加入环氧氯丙烷和氢氧化钠溶液，进行搅拌反应，经洗涤干燥，制得环氧化包覆颗粒；向密闭容器中通入乙酸溶液，然后加入壳聚糖进行搅拌，搅拌时间为1.8‑2.2h，搅拌结束后，加入环氧化包覆颗粒，搅拌均匀后升温至60‑64℃，搅拌反应3.4‑3.6h，洗涤干燥，制得二次改性包覆颗粒；采用本发明专利技术的方法制得的碳化硅陶瓷，断裂韧性高，强度高，在低温处理后，韧性和抗弯强度保持率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于碳化硅陶瓷，具体涉及一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法。

技术介绍

1、碳化硅陶瓷是一种以碳化硅为主要成分的陶瓷，具有较好的常温力学性能，比如抗弯强度、耐腐蚀性能、耐磨损性能等，并且高温力学性能是已知陶瓷材料中最佳的，在石油、化工、微电子、汽车、航天航空、矿业及激光领域具有广泛的应用。

2、但是，碳化硅陶瓷脆性大，断裂韧性低，有较强的裂纹强度敏感性，并且烧结性能差，限制了碳化硅陶瓷的应用和发展。

3、目前，为了改善断裂韧性和烧结性能，通常是采用碳纤维、氧化铝纤维等作为增强相制备以碳化硅为基体的复相陶瓷，但是纤维的浸润性较差，反应活性低，与碳化硅基体之间的界面性能差，相容性不好，最终影响碳化硅陶瓷的耐磨性能和抗弯性能；

4、因此，对纤维进行改性提高纤维的润湿性和反应活性，以改善与碳化硅基体的界面性能，增强碳化硅陶瓷的综合性能成为了新的研究方向。

5、对此，现有技术公开了以下方法：

6、cn113698221a公开了改性碳纤维增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法及改性碳纤维增韧碳化硅陶瓷材料，具体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的一...

【技术特征摘要】

1.一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的一种无压烧结制备碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的一种无压烧结制备碳化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永华，
申请(专利权)人：山东华信工业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：