活性物质复合粒子、二次电池和活性物质复合粒子的制造方法技术

技术编号：42426251 阅读：19 留言：0更新日期：2024-08-16 16:40

本发明专利技术涉及活性物质复合粒子、二次电池和活性物质复合粒子的制造方法。公开了包含Si的活性物质复合粒子，其能够减小充电时的体积膨胀。其特征在于，本公开的活性物质复合粒子包含多个第一粒子和至少一个第二粒子，所述第一粒子包含多孔硅，所述第二粒子与Li的反应电位比所述多孔硅与Li的反应电位低，并且所述第二粒子的粒径D<subgt;2</subgt;与所述第一粒子的粒径D<subgt;1</subgt;之比D<subgt;2</subgt;/D<subgt;1</subgt;为2.0以上。

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【技术实现步骤摘要】

本申请公开了活性物质复合粒子、二次电池和活性物质复合粒子的制造方法。

技术介绍

1、在专利文献1中公开了多孔硅材料的制造方法。多孔硅材料例如用作二次电池的活性物质。作为二次电池的活性物质的硅材料随着充放电的体积变化大。例如，如果作为活性物质的硅材料的膨胀量大，则二次电池的约束压容易大幅地上升。对此，认为通过使硅材料多孔化而设置空隙，利用该空隙缓和硅材料的膨胀，能够减轻二次电池的约束压的上升。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2022-150481号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、需要能够进一步减轻二次电池的约束压的上升的新技术。

3、用于解决课题的手段

4、本申请作为用于解决上述课题的手段，公开了以下的多个方案。

5、＜方案1＞

6、活性物质复合粒子，包含多个第一粒子和至少一个第二粒子，其中，所述第一粒子包含多孔硅，所述第二粒子与li的反应电位比所述多孔...

【技术保护点】

1.活性物质复合粒子，包含多个第一粒子和至少一个第二粒子，其中，所述第一粒子包含多孔硅，所述第二粒子与Li的反应电位比所述多孔硅与Li的反应电位低，并且所述第二粒子的粒径D2与所述第一粒子的粒径D1之比D2/D1为2.0以上。

2.根据权利要求1所述的活性物质复合粒子，其中，构成所述第一粒子的所述多孔硅为非晶质，所述第二粒子包含结晶性硅。

3.根据权利要求2所述的活性物质复合粒子，其中，构成所述第二粒子的所述结晶性硅为多孔质。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的活性物质复合粒子，其中，所述第二粒子存在于所述第一粒子的内侧。