一种热发泡解粘复合膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种热发泡解粘复合膜及其制备方法和应用，所述热发泡解粘复合膜包括依次设置的基材、耐温粘结剂层、热发泡解粘层和离型膜，通过在基材和热发泡解粘层之间设置耐温粘结剂层，利用所述耐温粘结剂层所具有的优异的耐温性，使所述热发泡解粘复合膜在热发泡解粘之前具有高粘性，可以保证在切割过程不易出现飞粒，同时避免了热发泡解粘层中的热发泡微球受热膨胀后所导致的发泡面不平整的问题，还具有发泡温度区间宽，发泡时间短以及热发泡解粘后粘性低的优势，作为定位膜使用有助于减少切割过程中的飞片数量，提高切割产品良率，可以满足现阶段小尺寸晶圆或基板的自动化生产需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于技术属于复合膜领域，具体涉及一种热发泡解粘复合膜及其制备方法和应用。

技术介绍

1、随着科技的不断发展，半导体芯片的集成度和尺寸要求越来越高。晶圆切割技术能够实现非常细小和精确的芯片尺寸，从而支持更高的集成度和更小尺寸的芯片的制备，晶圆切割技术可以根据需求将晶圆切割成不同尺寸和形状的芯片，从而实现多种芯片的成产，是半导体芯片制造过程中的关键步骤之一，对于提高晶圆利用率以及成本效益均有重要意义。

2、半导体晶圆切割过程常常需要使用胶带进行临时保护、固定和承载，热发泡解粘复合膜在工艺使用完成后只需加热即可失去粘性，使保护膜从半导体上剥离，是目前最常用的晶圆切割定位膜。cn116042124a公开了一种半导体晶片表面加工热解粘保护膜，由以下重量份数的组分制成：聚丙烯酸酯树脂20～110份；固化剂0.1～5份；催化剂0.5～4份；热膨胀微球8～15份；乙酸乙酯40～100份；该专利技术形成的半导体晶片表面加工热解粘保护膜加热后即可失去粘性，使保护膜从半导体上剥离，减少产品的不良率。

3、但是，包括上述专利技术在内的现有热发泡解本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述热发泡解粘复合膜包括依次设置的基材、耐温粘结剂层、热发泡解粘层和离型膜。

2.根据权利要求1所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述基材的厚度为90～110μm；

3.根据权利要求1或2所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述耐温粘结剂层的厚度为15～20μm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述耐温粘结剂层的制备原料按照重量份包括如下组分：

5.根据权利要求1～4任一项所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述热发泡解粘层的厚度为25～30μm。

6.根...

【技术特征摘要】

1.一种热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述热发泡解粘复合膜包括依次设置的基材、耐温粘结剂层、热发泡解粘层和离型膜。

2.根据权利要求1所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述基材的厚度为90～110μm；

3.根据权利要求1或2所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述耐温粘结剂层的厚度为15～20μm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述耐温粘结剂层的制备原料按照重量份包括如下组分：

5.根据权利要求1～4任一项所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述热发泡解粘层的厚度为25...

【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，张翔，张红凤，宋风鹏，陈余谦，杨慧达，
申请(专利权)人：苏州德佑新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：