一种反极性发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种反极性发光二极管及其制备方法，发光二极管包括衬底、键合层、镜面反射层、p型半导体层、多量子阱层和n型半导体层，还包括贯穿于镜面反射层、p型半导体层和多量子阱层的MESA孔；还包括p电极和设置在MESA孔内的n电极。本发明专利技术的反极性发光二极管中n电极可在p型半导体层一侧进行制作，并省略了n欧姆接触，实现发光面无遮光和吸光层，因此有效改善红光反极性产品大电流下，产品亮度和电流扩展提升瓶颈问题，同时还可以提升产品ESD能力和产品散热性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管，尤其涉及一种反极性发光二极管及其制备方法。

技术介绍

1、红光户内外显示的常规结构反极性rs led芯片，目前均遇到电流扩展和亮度瓶颈，应用端对产品亮度需求越来越高；同时rs芯片可以用于车灯产品，车灯产品对应rs芯片散热、耐大电流、esd和亮度均有很高要求。因此如何提升红光户内外反极性rs芯片产品的亮度、电流扩展问题对红光砷化镓系列垂直结构led芯片未来在市场应用的发展十分重要。

2、现有红光反极性rs芯片的结构如图1所示，其主要方案为在n型半导体层一侧制作电极以实现较好的电流扩展，但电极本身存在一定的遮光问题，影响产品亮度，同时该方案的发光二极管中包括欧姆接触层，欧姆接触层具有很强的吸光效应，同样会对产品的发光亮度产生影响。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种反极性发光二极管及其制备方法，用以解决现有发光器件亮度难以满足现有市场需求的技术问题。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提出的技术方案为：

3、一种反极性发光二极管，包括从下至上依次叠本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种反极性发光二极管，其特征在于，包括从下至上依次叠加设置的衬底（12）、键合层、镜面反射层、p型半导体层（5）、多量子阱层（4）和n型半导体层（3）；

2.根据权利要求1所述的反极性发光二极管，其特征在于，所述镜面反射层设置在p型半导体层（5）的表面及MESA孔（14）的表面；所述镜面反射层包括从下至上叠加设置的镀膜反射层（8）和介质层（7）；所述镀膜反射层（8）为Au/AuZn/Au层；所述介质层（7）中开设有导电孔。

3.根据权利要求1所述的反极性发光二极管，其特征在于，所述键合层和镜面反射层之间设置有PV绝缘层（9），所述PV绝缘层（9）不覆盖MESA...

【技术特征摘要】

1.一种反极性发光二极管，其特征在于，包括从下至上依次叠加设置的衬底（12）、键合层、镜面反射层、p型半导体层（5）、多量子阱层（4）和n型半导体层（3）；

2.根据权利要求1所述的反极性发光二极管，其特征在于，所述镜面反射层设置在p型半导体层（5）的表面及mesa孔（14）的表面；所述镜面反射层包括从下至上叠加设置的镀膜反射层（8）和介质层（7）；所述镀膜反射层（8）为au/auzn/au层；所述介质层（7）中开设有导电孔。

3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱迪，张瑶，安昊，胡瑞，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：