一种TOPCon电池正面局部绒面的制备方法技术

本申请公开了一种TOPCon电池正面局部绒面的制备方法，包括如下步骤：S 1，将硅片进行双面抛光；S2，沉积隧穿层和多晶硅层；S3，形成BSG层或PSG层；S4，去除硅片正面BSG层或PSG层；S5，沉积氧化硅层和多晶硅层；S6，形成PSG层或BSG层；S7，激光去除正面非接触区域的PSG层或BSG层；S8，去除硅片背面PSG层或BSG层，对正面非接触区表面进行制绒，最后去除正背面的BSG层或PSG层；S9，沉积氧化铝钝化膜；S 10，沉积背面钝化减反膜；S 11，沉积正面钝化减反膜；S 12，丝网印刷，制备电极，并进行烧结和测试分选；本申请保证了硅片正面隧穿层的质量，减少了正面掺杂多晶硅的寄生光吸收，提供了良好的钝化效果，降低了正面接触的金属复合，提高了TOPCon电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏电池制造，具体涉及一种topcon电池正面局部绒面的制备方法。

技术介绍

1、晶硅太阳电池是直接将光能转化为电能的微电子器件，而要保证足够的转化效率，就必须保证电池吸收足够多的光子，产生光生载流子，并且尽可能提升少数载流子(少子)寿命，即提升电池钝化性能。

2、为此，领域内从业人员研发了不同的电池结构，以尽可能的提升电池钝化能力；topcon(tunne l ox i de pas s i vat ed cont act)技术是一种在电池背面制备一层超薄隧穿氧化层(s i ox)并在其表面生长重掺杂的多晶硅层(poly-s i)，二者共同形成了钝化接触结构；不导电但是极薄的隧穿氧化层可以使高浓度的多数载流子(多子)以量子隧穿的形式通过，但是会阻挡少子；重掺杂的多晶硅层可以改变硅的能带位置，使其变为p型/n型半导体，阻挡电子/空穴靠近；因此，topcon电池拥有高的钝化能力、转化效率，这也使得topcon电池成为大规模量产的首选。

3、目前，topcon电池仅是在背表面制备，正面金属浆料直接接触到硅片，导致了严重的金本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TOPCon电池正面局部绒面的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的TOPCon电池正面局部绒面的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述硅片选用N型硅片，并采用湿法槽式机进行双面抛光。

3.如权利要求1所述的TOPCon电池正面局部绒面的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，采用LPCVD单插的加工方式，将温度控制在510-650℃，工艺时间控制在200-250min，氧气流量控制在30000-40000s ccm，SiH4流量控制在100-1500s ccm的工艺条件下，在硅片双面沉积1-3nm的隧穿层和100-220nm的多晶硅层...

【技术特征摘要】

1.一种topcon电池正面局部绒面的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的topcon电池正面局部绒面的制备方法，其特征在于，在步骤s1中，所述硅片选用n型硅片，并采用湿法槽式机进行双面抛光。

3.如权利要求1所述的topcon电池正面局部绒面的制备方法，其特征在于，在步骤s2中，采用lpcvd单插的加工方式，将温度控制在510-650℃，工艺时间控制在200-250min，氧气流量控制在30000-40000s ccm，sih4流量控制在100-1500s ccm的工艺条件下，在硅片双面沉积1-3nm的隧穿层和100-220nm的多晶硅层。

4.如权利要求1所述的topcon电池正面局部绒面的制备方法，其特征在于，在步骤s3中，当硅片为背结结构时，在硅片表面进行硼扩散形成bsg层；当硅片为正结结构时，在硅片表面进行磷扩散形成psg层。

5.如权利要求1所述的topcon电池正面局部绒面的制备方法，其特征在于，在步骤s4中，采用湿法链式机，其中hf溶液浓度为30-50％，去除硅片正面的bsg层或psg层，然后在槽式机台的naoh溶液中进行正面抛光，保留硅片背面的隧穿层和多晶硅层结构。

6.如权利要求1所述的topcon电池正面局部绒面的制备方法，其特征在于，在步骤s5中，采用lpcvd单插的加工方式，将温度控制在500-650℃，工艺时间...

【专利技术属性】
技术研发人员：施梓祺，
申请(专利权)人：芜湖协鑫集成新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：