一种带有转接板的MEMS传感器封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种带有转接板的MEMS传感器封装结构及其制造方法，将MEMS芯片和ASIC芯片封装在转接板的两面，进行双面封装，此方案既有TSV及转接板先进工艺，同时使用此工艺可以大幅缩小产品的封装外形尺寸，同时采用FC的焊接方式，减小了金丝焊接的使用用量，大幅降低了产品的成本，为产品赢得市场奠定了非常好的基础，产品封装可靠性可以达到汽车工业级使用标准，解决了现有的封装技术现有的封装技术封装体积大和效率低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体封装领域，具体为一种带有转接板的mems传感器封装结构及其制造方法。

技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展，传感器芯片的封装技术逐渐换代，现代集成电路中i/o数量急剧增加，对于封装技术的要求逐渐升高，但是现有的封装技术封装体积大，效率低，不能满足现代集成电路对高集成度、高密度、高性能的需求，为了不断适应市场的需求，新的封装技术如2.5d，3d等先进封装技术越来越多的用到半导体传感器封装制程中。

技术实现思路

1、本专利技术的提供了一种带有转接板的mems传感器封装结构及其制造方法，解决了现有的封装技术现有的封装技术封装体积大和效率低的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：

3、一种带有转接板的mems传感器封装结构的制造方法，包括：

4、对转接板进行硅穿孔，将mems芯片与转接板进行固定，并将mems芯片线路导通引入到转接板背面；

5、在转接板背面植球，将倒装类型的asic芯片粘接固定在转接板背面；p>

6、然后将本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种带有转接板的MEMS传感器封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种带有转接板的MEMS传感器封装结构的制造方法，其特征在于，对转接板(5)进行硅穿孔采用TSV技术。

3.根据权利要求1所述的一种带有转接板的MEMS传感器封装结构的制造方法，其特征在于，转接板(5)材质采用硅基或者玻璃基材。

4.根据权利要求1所述的一种带有转接板的MEMS传感器封装结构的制造方法，其特征在于，ASIC芯片(2)通过倒装焊的方式固定在转接板(5)上。

5.根据权利要求1所述的一种带有转接板的MEMS传感器封装结构的制造方法，...

【技术特征摘要】

1.一种带有转接板的mems传感器封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种带有转接板的mems传感器封装结构的制造方法，其特征在于，对转接板(5)进行硅穿孔采用tsv技术。

3.根据权利要求1所述的一种带有转接板的mems传感器封装结构的制造方法，其特征在于，转接板(5)材质采用硅基或者玻璃基材。

4.根据权利要求1所述的一种带有转接板的mems传感器封装结构的制造方法，其特征在于，asic芯片(2)通过倒装焊的方式固定在转接板(5)上。

5.根据权利要求1所述的一种带有转接板的mems传感器封装结构的制造方法，其特征在于，asic芯片(2)与转接板(5)之间通过underfill胶水(6)填充。

6.根据权利要求5所述的一种带有转接板的mems传感器封装结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞宝龙，马勉之，胡晓飞，张婕，曹雪，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：