一种CVD金刚石生长载台制造技术

本技术涉及CVD金刚石生产技术领域。具体公开了一种CVD金刚石生长载台，包括反应腔体以及载物台，所述反应腔体上连通有进气管道，所述载物台设置在反应腔体的内部，所述反应腔体上设置有用于升降载物台台的升降组件，所述升降组件包括丝杠以及驱动电机，所述丝杠竖直设置在反应腔体中，并且所述丝杠穿设在载物台上，所述驱动电机设置在反应腔体的顶部，并且所述驱动电机的输出轴与丝杠同轴连接。本技术的优点是通过在反应腔体上设置升降组件，当晶体在生长时，升降组件能够沿着竖直方向升降载物台，从而使得载物台上的晶体与内部等离子球的高度处于一个恒定的值，确保晶体析出的稳定和效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及cvd金刚石生产，特别是一种cvd金刚石生长载台。

技术介绍

1、cvd(chemical vapor deposition化学气相沉积)金刚石。含碳气体(如甲烷)和氢气的混合物在高温和低于标准大气压的压力下被激发分解，形成等离子态碳原子，并在基体上沉积交互生长成聚晶金刚石(或控制沉积生长条件沉积生长金刚石单晶或者准单晶),现有技术中cvd金刚石的沉积运用的生长载台无法进行高度上的调节，致使在沉积过程中存在一定的问题，影响沉积的效果，且现有技术中生长载台的升降影响整个反应腔体内的真空状态，无法确保真空的状态就会使得cvd金刚石的析出不纯或者内部出现气泡等瑕疵，现亟待一种自适应cvd金刚石生长载台来解决上述问题。

技术实现思路

1、为了能够克服现有技术中生长载台无法进行高度上调节的缺点，本申请提供一种cvd金刚石生长载台。

2、本申请提供的一种cvd金刚石生长载台，采用如下的技术方案：

3、一种cvd金刚石生长载台，包括反应腔体以及载物台，所述反应腔体上连通有进气管道，所述载物本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CVD金刚石生长载台，其特征在于：包括反应腔体（1）以及载物台（2），所述反应腔体（1）上连通有进气管道（3），所述载物台（2）设置在反应腔体（1）的内部，所述反应腔体（1）上设置有用于升降载物台（2）台的升降组件（4），所述升降组件（4）包括丝杠（41）以及驱动电机（42），所述丝杠（41）竖直设置在反应腔体（1）中，并且所述丝杠（41）穿设在载物台（2）上，所述驱动电机（42）设置在反应腔体（1）的顶部，并且所述驱动电机（42）的输出轴与丝杠（41）同轴连接。

2.根据权利要求1所述的一种CVD金刚石生长载台，其特征在于：所述载物台（2）上设置有多块滑块（21），...

【技术特征摘要】

1.一种cvd金刚石生长载台，其特征在于：包括反应腔体（1）以及载物台（2），所述反应腔体（1）上连通有进气管道（3），所述载物台（2）设置在反应腔体（1）的内部，所述反应腔体（1）上设置有用于升降载物台（2）台的升降组件（4），所述升降组件（4）包括丝杠（41）以及驱动电机（42），所述丝杠（41）竖直设置在反应腔体（1）中，并且所述丝杠（41）穿设在载物台（2）上，所述驱动电机（42）设置在反应腔体（1）的顶部，并且所述驱动电机（42）的输出轴与丝杠（41）同轴连接。

2.根据权利要求1所述的一种cvd金刚石生长载台，其特征在于：所述载物台（2）上设置有多块滑块（21），多块所述滑块（21）沿着载物台（2）的周向均匀设置，所述反应腔体（1）上沿着竖直方向开设有多个滑槽（11），所述滑块（21）滑动设置在滑槽（11）内。

3.根据权利要求1所述的一种cvd金刚石生长载台，其特征在于：所述载物台（2）的四周均匀设置有多块柔性块（22），所述柔性块（22）的一侧与载物台（2）固定连接、另一侧与反应腔体（1）滑动连接。

4.根据权利要求1所述的一种cvd金刚石生长载...

【专利技术属性】
技术研发人员：党文立，
申请(专利权)人：深圳市库比克科技有限公司，
类型：新型
国别省市：