一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法技术

本发明专利技术涉及一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法，属于氢氟酸检测技术领域，提供一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法，该方法包含在聚乙烯试剂瓶中加入5mL纯净水，通入氮气后，再加入1.5g样品并溶解，将样品试剂瓶密封后送入‑5℃冰柜中冷藏备用，用50mL纯净水将样品移液至聚乙烯三口瓶中，滴加2滴酚酞指示剂，用氢氧化钠标准滴定溶液滴定，直至溶液呈粉红色，保持约30s不退色，随样做空白试验，对比样品消耗氢氧化钠标准滴定溶液的体积测算样品容量；本发明专利技术整体上具有检测精准度高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于氢氟酸检测，更具体的，涉及一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法。

技术介绍

1、电子级氢氟酸是一种重要的化学试剂，在半导体制造、太阳能电池、平板显示器等领域有着广泛的应用。随着科技的不断发展，对电子级氢氟酸的质量和纯度要求也越来越高，对于电子级氢氟酸的纯度检测是一项必不可少的工作，能够最大程度的检测出氢氟酸内其他物质的含量。

技术实现思路

1、本专利技术针对以上现有技术中存在的缺陷，提供一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法，解决的问题是对电子级氢氟酸进行精准检测的检测方法。

2、本专利技术的目的是通过以下技术方案得以实现的，该方法包括以下步骤：

3、s1：在聚乙烯试剂瓶中加入5ml纯净水，通入氮气后，再加入1.5g样品并溶解，将样品试剂瓶密封后送入-5℃冰柜中冷藏备用：

4、s2：用50ml纯净水将样品移液至聚乙烯三口瓶中，滴加2滴酚酞指示剂，用氢氧化钠标准滴定溶液滴定，直至溶液呈粉红色，保持约30s不退色；

5、s3：随样做空白试验，对比本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法，其特征在于，该方法包含以下几个步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法，其特征在于：所述S1步骤中，配置温度为10~18℃。

3.根据权利要求2所述的一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法，其特征在于：所述S1步骤中，所述氮气纯度大于99.999%。

4.根据权利要求3所述的一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法，其特征在于：所述S2步骤中，所述酚酞指示剂的浓度为10g/L。

5.根据权利要求4所述的一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法，其特征在于：所述S...

【技术特征摘要】

1.一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法，其特征在于，该方法包含以下几个步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法，其特征在于：所述s1步骤中，配置温度为10~18℃。

3.根据权利要求2所述的一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法，其特征在于：所述s1步骤中，所述氮气纯度大于99.999%。

4.根据权利要求3所述的一种用于半导体晶片的高纯度氢氟酸检测方法，其特征在于：所述s2步骤中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘松，赵继舟，徐浩，
申请(专利权)人：江苏捷创新材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：