介电层的刻蚀工艺中的预热方法技术

本申请公开了一种介电层的刻蚀工艺中的预热方法，包括：当刻蚀机台腔室的工作环境稳定时，进行点火；对中央进气管和边缘进气管通入预定气体对其进行冲刷，中央进气管和边缘进气管用于在进行刻蚀工艺时通入反应气体，边缘进气管设置于中央进气管的周侧；对刻蚀机台的载片台进行预热，载片台用于在进行刻蚀工艺时固定晶圆。本申请在通过使用设置有边缘进气管的刻蚀机台进行刻蚀之前，在预热过程中，当刻蚀机台腔室的工作环境稳定时进行点火后，对中央进气管和边缘进气管通入预定气体对其进行冲刷，从而能够有效防止长时间不使用边缘进气管道再次使用时存在的气体猛冲的现象，降低了气体猛冲对光阻的损伤，在一定程度上提高了产品的可靠性和良率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件及集成电路，尤其涉及一种介电层的刻蚀工艺中的预热方法。

技术介绍

1、在半导体制造业中，蚀刻工艺的均匀性(uniformity)是一向重要的指标参数。通常，为了改善线宽(critical dimension、cd)、膜厚的均匀性，以及刻蚀形貌，刻蚀机台上除了设置中央进气管道外，还会配置边缘进气管道(edge tuning gas)以调控均匀性和形貌。

2、在后段(back end of line，beol)制程的介电层(dielectric oxide，通常为氧化物薄膜)的刻蚀工艺中，由于并非所有程式都会使用边缘进气，从而可能导致在生产过程中，边缘进气管道存在长时间憋气的情况，且随着时间的增加，边缘进气管道中的前压力(foreline pressure)会由于憋气的原因越来越高，当长时间不使用边缘进气管道再次使用时，会存在气体猛冲的现象，导致光阻图形缺陷的产生，从而降低了产品的电学特性和良率。

技术实现思路

1、本申请提供了一种介电层的刻蚀工艺中的预热方法，可以解决相关技术中设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种介电层的刻蚀工艺中的预热方法，其特征在于，所述方法应用于对介电层进行刻蚀之前，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定气体包括氧气。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，氧气在所述预定气体中的占比为50％至80％。

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，当所述腔室中的压力和/或气体流量稳定时，确定所述刻蚀机台腔室的工作环境稳定。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法应用于后段制程中。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述介电层包括二氧化硅层。

【技术特征摘要】

1.一种介电层的刻蚀工艺中的预热方法，其特征在于，所述方法应用于对介电层进行刻蚀之前，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定气体包括氧气。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，氧气在所述预定气体中的占比为50％至80％。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张栋琪，蒋志伟，祝建，余鹏，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：