【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及热电化学氧化设备,具体涉及一种可提高陶瓷绝缘铝扁线膜层均匀度的圆筒电极。
技术介绍
1、专利cn2023209093650公开了一种顶部带排气结构的平卧式圆筒电极,其通过顶部的排气结构使氧化反应的氢气及时从圆筒电极内腔中排出,避免氢气集聚于圆筒电极内腔壁顶部产生氢爆。但在实际应用中发现,使用此种圆筒电极生产陶瓷绝缘铝扁线时,铝扁线成膜厚度上下不均,铝扁线上部的膜层厚度偏薄,可能是排气结构的存在导致圆筒电极上部电场弱化,导致铝扁线上部膜层偏薄。
技术实现思路
1、本专利技术目的在于提供一种可提高陶瓷绝缘铝扁线膜层均匀度的圆筒电极,通过在圆筒电极的排气结构附近设置副电极以克服陶瓷绝缘铝扁线上部成膜偏薄的缺陷。
2、为实现上述目的,本专利技术的技术方案具体如下:
3、一种可提高陶瓷绝缘铝扁线膜层均匀度的圆筒电极,圆筒电极两端开口平卧放置于装有电解液的电解池中,圆筒电极顶部具有排气结构,排气结构下方沿圆筒电极轴向还设置有副电极,副电极固定于圆筒电极顶部内壁。<
...【技术保护点】
1.一种可提高陶瓷绝缘铝扁线膜层均匀度的圆筒电极,圆筒电极两端开口平卧放置于装有电解液的电解池中,圆筒电极顶部具有排气结构,其特征在于,排气结构下方沿圆筒电极轴向还设置有副电极,副电极固定于圆筒电极顶部内壁。
2.根据权利要求1所述的一种可提高陶瓷绝缘铝扁线膜层均匀度的圆筒电极,其特征在于,所述副电极为两块电极板,两块电极板于排气结构两侧对称分布。
3.根据权利要求1所述的一种可提高陶瓷绝缘铝扁线膜层均匀度的圆筒电极,其特征在于,所述排气结构是沿圆筒电极轴向设置的通孔阵列,所述副电极是沿圆筒电极轴向设置的U型电极阵列,每个通孔下方对应一个U型电
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【技术特征摘要】
1.一种可提高陶瓷绝缘铝扁线膜层均匀度的圆筒电极,圆筒电极两端开口平卧放置于装有电解液的电解池中,圆筒电极顶部具有排气结构,其特征在于,排气结构下方沿圆筒电极轴向还设置有副电极,副电极固定于圆筒电极顶部内壁。
2.根据权利要求1所述的一种可提高陶瓷绝缘铝扁线膜层均匀度的圆筒电极,其特征在于,所述副电极为两块电极板,两块电极板于排气结构两侧对称分布。
3.根据权利要求1所述的一种可提高陶瓷绝缘铝扁线膜层均匀度的圆筒电极,其特征在于,所述排气结构是沿圆筒电...
【专利技术属性】
技术研发人员:王连可,雷厉,范红艳,孔令博,曹朋,
申请(专利权)人:诸暨市中俄联合材料实验室,
类型:发明
国别省市:
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