【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，更具体地，涉及一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件。
技术介绍
1、隧穿氧化层钝化接触(topcon)电池在背面有由一层超薄氧化硅与一层掺杂多晶硅薄膜组成的钝化接触结构，topcon电池通过钝化接触结构实现了高效的电荷收集。
2、虽然目前topcon电池已被广泛研究，但其在红外光谱区域的吸收尚有不足，光电转换效率仍具有提升空间。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件，用于拓宽太阳能电池的光谱吸收范围，提高了太阳能电池的光电转换效率。
2、第一方面，本申请提供了一种太阳能电池，包括：
3、硅基底，硅基底具有相对的第一表面和第二表面；
4、依次形成于第一表面的第一隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层；
5、第一表面和/或第二表面上还形成有至少一层量子点层。
6、可选地，其中：
7、当硅基底的第一表面上形成有量子点层时，太阳能电池还包括至少一层与...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，当所述硅基底的第一表面上形成有所述量子点层时，所述太阳能电池还包括至少一层与所述量子点层相对应的第一保护层，所述第一保护层形成于所述量子点层背离所述硅基底的一侧。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在所述太阳能电池的厚度方向上，所述第一保护层具有厚度D1，20nm≤D1≤300nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，当所述硅基底的第二表面上形成有所述量子点层时，所述太阳能电池层还包括至少一层与所述量子点层相对应的第二...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，当所述硅基底的第一表面上形成有所述量子点层时，所述太阳能电池还包括至少一层与所述量子点层相对应的第一保护层，所述第一保护层形成于所述量子点层背离所述硅基底的一侧。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在所述太阳能电池的厚度方向上，所述第一保护层具有厚度d1，20nm≤d1≤300nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，当所述硅基底的第二表面上形成有所述量子点层时，所述太阳能电池层还包括至少一层与所述量子点层相对应的第二保护层，所述量子点层形成于所述第二保护层背离所述硅基底的一侧。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，在所述太阳能电池的厚度方向上，所述第二保护层具有厚度d2，20nm≤d2≤300nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述量子点层的形成材料包括磷化铟。
7.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1～6任一项所述的太阳能电池；所述太阳能电池的制备方法包括：
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，当所述硅基底的第一表面上形成有所述量子点层时，所述太阳能电池的制备方法还包括：
9.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：丘才杰，赵世杰，李文琪，杨洁，郑霈霆，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科能源上饶有限公司，
类型：发明
国别省市：
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