【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及沉淀二氧化硅以及其制造方法。本专利技术进一步涉及沉淀二氧化硅作为聚合物组合物、优选弹性体组合物中的增强填料的用途。
技术介绍
1、使用沉淀二氧化硅作为聚合物组合物中的增强填料是已知的。具体地讲，已知使用沉淀二氧化硅作为弹性体组合物中的增强填料。这种使用是要求非常高的：填料应当容易且有效地掺入并分散在弹性体组合物中，并且典型地连同偶联剂与一种或多种弹性体形成化学键，从而导致弹性体组合物的高的且均匀的增强。一般来讲，使用沉淀二氧化硅来改善弹性体组合物的机械特性以及处理和磨蚀性能。
2、以本申请人名义的wo 03/016215披露了一种沉淀二氧化硅，该沉淀二氧化硅在以下方面具有给定的特性：即粒度(通过xdc或x射线盘式离心机测量)和初级颗粒聚集体的孔隙率。尽管这种二氧化硅作为弹性体组合物的增强物表现非常好，但本申请人现在已经发现为了改进此种沉淀二氧化硅在聚合物组合物中的可分散性(这进而改进了聚合物组合物的耐磨性)，有利的是具有显示具有易碎核的核/壳结构的不均匀聚集体。
技术实现思路
1、已本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种沉淀二氧化硅，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的沉淀二氧化硅，其具有从50至300m2/g、优选从70至300m2/g、更优选从80至270m2/g、或可替代地从120至275m2/g的CTAB表面积。
3.根据权利要求2所述的沉淀二氧化硅，其具有大于120m2/g并且小于230m2/g的CTAB表面积。
4.根据权利要求1、2或3所述的沉淀的，其具有范围从100至250的FWHM。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的沉淀二氧化硅，其具有由下式表征的d50：|d50|>-0.81×|CTAB|+263
<...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种沉淀二氧化硅，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的沉淀二氧化硅，其具有从50至300m2/g、优选从70至300m2/g、更优选从80至270m2/g、或可替代地从120至275m2/g的ctab表面积。
3.根据权利要求2所述的沉淀二氧化硅，其具有大于120m2/g并且小于230m2/g的ctab表面积。
4.根据权利要求1、2或3所述的沉淀的，其具有范围从100至250的fwhm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的沉淀二氧化硅，其具有由下式表征的d50：|d50|>-0.81×|ctab|+263(ii)。
6.根据前述权利要求中任一项所述的沉淀二氧化硅，其具有在110nm与240nm之间、优选地在130与220nm之间的d50。
7.根据前述权利要求中任一项所述的沉淀二氧化硅，其具有由下式表征的d84：|d84|<2.81×|fwhm|+35(iii)。
8.根据权利要求7所述的沉淀二氧化硅，其具有包含在200与550nm之间、优选地在250与500nm之间的d84。
9.根据前述权利要求中任一项所述的沉淀二氧化硅，其含有至少一种选自以下的元素：al、ga、b、sc、y、ti、zr、hf、v、nb、ta、fe、co、mg、ca或zn。
10.根据前述权利要求中任一项所述的沉淀二氧化硅，其具有至少92％、优选至少94％的细粉率τf。
11.根据权利要求10所述的沉淀二氧化硅，其具有至少95％、可能至少97％的细粉率。
12.根据前述权利要求中任一项所述的沉淀二氧化硅，该沉淀二氧化硅呈粉末的形式。
13.根据权利要求1至11中任一项所述的沉淀二氧化硅，该沉淀二氧化硅呈微珠粒的形式。
14.根据权利要求1至11中任一项所述的沉淀二氧化硅，该沉淀二氧化硅呈料粒的形式。
15.一种用于制备沉淀二氧化硅的方法，所述方法包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中，在步骤(ii)期间达到凝胶点，并且其中使用稀酸直到达到该凝胶点并且在达到该凝胶点之后使用浓酸。
17.根据权利要求15或16所述的方法，其中，在步骤(ii)期间达到凝胶点，并且其中在步骤(ii)期间达到该凝胶点之后添加的硅酸盐的量是在步骤(ii)期间添加的硅酸盐的总量的5％与55％之间，优选地在步骤(ii)期间添加的硅酸盐总量的10％与50％之间并且更优选15％与45％之间。
18.根据权利要求15至17中任一项所述的方法，在步骤(iv)期间添加到该反应介质中的硅酸盐的量是该反...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·费拉尔马丁，E·奥兰奈曼，P·劳里奥尔加尔贝，T·绍赛，L·居伊，
申请(专利权)人：罗地亚经营管理公司，
类型：发明
国别省市：
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