发光二极管外延片及其制备方法、LED技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、氮化物插入层、电子阻挡层、P型GaN层；所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、P型含Ga氮化物层、Mgδ掺杂P型含Ga氮化物层和含Ga氮化物层。本发明专利技术提供的发光二极管外延片能够减少电子溢流效应，提高活化Mg浓度，提高空穴浓度，提高空穴注入效率，提高电子与空穴辐射复合效率，减少漏电，提升发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、led。

技术介绍

1、氮化镓(gan)是代表性的iii-v族氮化物半导体材料， p型gan材料的获取难度要比获得n型gan的难度大很多，曾经严重制约了gan材料与其器件研究的进展。尽管目前gan的p型掺杂已取得了突破性进展，但至今仍存在p型杂质活化率低、难以实现高空穴浓度等问题。

2、具体地，其一，受主杂质mg原子的激活能较高，导致空穴激活率低，一般条件下空穴浓度只能达到 1017~1018atoms/cm3量级；其二，由于空穴的有效质量大、迁移率低，导致空穴主要集中分布在靠近p侧的少数几个量子阱中，空穴注入效率低；其三，电子有效质量小、迁移率大，导致电子可以很轻易的越过有源区进入到p型层中造成电子泄漏。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片，其减少电子溢流效应，提高活化mg浓度，提高空穴浓度，提高空穴注入效率，提高电子与空穴辐射复合效率，减少漏电，提升发光二极管的发光效率。

2、本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、氮化物插入层、电子阻挡层、P型GaN层；

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述AlN层的厚度为0.5nm~5nm。

3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型含Ga氮化物层的厚度为1nm~10nm；

4. 如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Mg δ掺杂P型含Ga氮化物层的厚度为10nm~100nm；

5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述含Ga氮化物层的...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、多量子阱层、氮化物插入层、电子阻挡层、p型gan层；

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述aln层的厚度为0.5nm~5nm。

3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述p型含ga氮化物层的厚度为1nm~10nm；

4. 如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述mg δ掺杂p型含ga氮化物层的厚度为10nm~100nm；

5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述含ga氮化物层的厚度为1nm~1...

【专利技术属性】
技术研发人员：程龙，郑文杰，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：