基于PCA和KDE的CMOS集约模型的生成方法和平台技术

本发明专利技术属于集成电路技术领域，涉及一种基于PCA和KDE的CMOS集约模型的生成方法和平台，具体包括以下步骤：S1.关键参数提取；S2.捕获基础参数组特征；S3.实时生成模型。利用主成分分析和核密度估计的算法，分析所抽取集约模型基础参数组的值构成的矩阵，捕获该矩阵的主成分分布特征；根据所捕获的基础参数组特征，通过蒙特卡罗方法和主成分分析逆变换建立实时生成包含涨落、老化等统计量信息的无限新参数组的模块或模型。本发明专利技术解决了大规模集成电路设计中集约模型样例库有限导致的重复采样问题，且实时生成的参数组能够保持原有的参数分布和参数间相关性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路，具体涉及一种基于pca和kde的cmos集约模型的生成方法和平台。

技术介绍

1、随着器件尺寸不断缩小，尤其是前沿领域的器件如纳米片围栅晶体管的尺寸极度微缩化，晶体管中已不可避免的出现涨落问题。因此，需要在eda软件中构建包含各种涨落、老化等引起器件电学特性不一致的统计量信息的集约模型库，以实现对极度微缩器件如纳米片围栅晶体管的正确仿真。但是，仅通过直接对实验数据或tcad仿真得到的电学特性数据进行参数提取的方式来构建集约模型库，会直接受限于实验数据或tcad仿真的器件数量，导致库中模型十分有限，将不可避免的导致使用eda软件进行设计时，出现对晶体管集约模型样例进行重复采样的问题，无法体现涨落及老化等统计量对电路的影响，从而也无法满足当今技术节点下对大规模集成电路设计的需求。

2、为解决重复采样问题，使得电路仿真能够模拟真实电路中器件的涨落、老化等统计量及其带来的影响，目前工业界中主要采用集约模型中基于阈值电压参数值的分布或基于主成分分析的方法来产生无限参数集，以实现无限集约模型的实时生成。然而，基于阈值电压参数值分布的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于PCA和KDE的CMOS集约模型的生成方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于PCA和KDE的CMOS集约模型的生成方法，其特征在于：选取若干对器件电学特性有关键影响作用的物理参数和若干用于调整仿真结果的拟合参数作为关键参数；通过对上述关键参数取值进行调整，可以使集约模型输出的电学特性曲线贴合对应晶体管的目标电学特性曲线，实现所选参数的提取。

3.根据权利要求1所述的基于PCA和KDE的CMOS集约模型的生成方法，其特征在于：步骤S2中，所有基础参数组的值可构成一个m×n的矩阵，其中m代表参数组的数目，即抽取晶体管的数目；n代表基...

【技术特征摘要】

1.一种基于pca和kde的cmos集约模型的生成方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于pca和kde的cmos集约模型的生成方法，其特征在于：选取若干对器件电学特性有关键影响作用的物理参数和若干用于调整仿真结果的拟合参数作为关键参数；通过对上述关键参数取值进行调整，可以使集约模型输出的电学特性曲线贴合对应晶体管的目标电学特性曲线，实现所选参数的提取。

3.根据权利要求1所述的基于pca和kde的cmos集约模型的生成方法，其特征在于：步骤s2中，所有基础参数组的值可构成一个m×n的矩阵，其中m代表参数组的数目，即抽取晶体管的数目；n代表基础参数组中所包含参数的数目；首先对基础参数组的值构成的矩阵进行主成分分析，将其转换为一组线性无关的主成分，可将由n维关键参数描述的参数组转化为k维主成分所描述的数据，进而构成一个m×k的新矩阵；

4.根据权利要求3所述的基于pca和kde的cmos集约模型的生成...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁洁，周奕帆，范绪阁，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：