一种过渡金属硫族化合物薄膜的制备方法技术

本发明专利技术属于薄膜制备技术领域，具体涉及一种过渡金属硫族化合物薄膜的制备方法。在室温下，以导热导电好的镉金属靶材和单质硫或硒源为原料，依次采用磁控溅射金属靶材、电阻加热蒸发硫或硒、磁控溅射金属靶材的方法在衬底上沉积得到前驱物薄膜，然后对前驱物退火制得CdS、CdSe硫族化合物薄膜。该方法具有原料成本低、靶材溅射过程中不会开裂、操作简单的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于薄膜制备，具体涉及一种过渡金属硫族化合物薄膜的制备方法。

技术介绍

1、过渡金属硫族化合物cds、cdse属于ii-vi族化合物半导体，都为直接跃迁型。cds、cdse在室温下带隙分别约为2.5ev、1.7ev，化学稳定性好，透光率高，具有优异的光电性能，在太阳能电池、光探测器、光催化等领域有巨大应用前景。因此引起了研究人员广泛关注和研究兴趣。

2、cds、cdse硫族化合物薄膜的制备方法有多种，如磁控溅射、真空蒸镀、脉冲激光沉积、化学气相沉积、化学水浴沉积等。其中磁控溅射方法制备薄膜，具有膜致密、附着力好、沉积速率快、可规模化等优点，是常用的薄膜材料物理气相沉积技术之一。

3、目前以磁控溅射方法制备cds、cdse薄膜中，常常采用cds、cdse化合物陶瓷靶材。xiaobo hu等人以射频磁控溅射沉积的cds薄膜作为缓冲层，制备了sb2se3薄膜太阳能电池，优化后的电池效率达到5.91％，参见(5.91％-efficient sb2se3 solar cells with aradio-frequency magne本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种过渡金属硫族化合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述衬底材料为石英玻璃、ITO导电玻璃、蓝宝石或单晶硅；清洗衬底是将衬底材料依次在去离子水、丙酮、无水乙醇中分别超声波清洗15分钟，然后烘干。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，上述步骤(2)中，镉金属靶材纯度为99.99wt％，靶材与衬底的间距，大于8cm，小于或等于13cm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，上述步骤(3)中，硫粉质量为200～600mg，硒粉质量为200～300mg，纯度分别为...

【技术特征摘要】

1.一种过渡金属硫族化合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述衬底材料为石英玻璃、ito导电玻璃、蓝宝石或单晶硅；清洗衬底是将衬底材料依次在去离子水、丙酮、无水乙醇中分别超声波清洗15分钟，然后烘干。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，上述步骤(2)中，镉金属靶材纯度为99.99wt％，靶材与衬底的间距，大于8cm，小于或等于13cm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，上述步骤(3)中，硫粉质量为200～600mg，硒粉质量为200～300mg，纯度分别为99.5wt％和99.0wt％，蒸舟采用蒸发钼舟，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张仁刚，王团团，王朋杰，屈欣鹏，段会，刘宏玉，徐千山，
申请(专利权)人：武汉科技大学，
类型：发明
国别省市：