基于单根双壁碳纳米管结构的三极管器件及其制作方法技术

一种基于单根双壁碳纳米管结构的三极管器件及其制作方法，包括：单根双壁碳纳米管；双壁碳纳米管的内层碳纳米管通过硼掺杂形成源极和漏极，具有P型材料的性质，源极和漏极之间形成场效应管沟道；双壁碳纳米管的外层碳纳米管通过轴向剪裁形成栅极，具有N型材料的性质；P‑N结，形成在P型材料与N型材料之间。该三极管器件实现纳米尺度高集成度，解决了传统单壁碳纳米管场效应管的界面和接触电阻问题，避免了材料耦合的挑战，缩小了器件尺寸，突破了现有工艺的纳米尺寸限制。器件采用单一材料，增强了均一性和可控性，提升了电流驱动和电学性能，展现了低功耗、快速响应的特性，并适用于新型光电和柔性电子器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子器件，特别是涉及一种基于单根双壁碳纳米管结构的三极管器件及其制作方法。

技术介绍

1、碳纳米管作为一种新型的纳米材料，因其优异的电学、力学和热学性能，在电子器件领域显示出巨大的应用潜力。特别是双壁碳纳米管，它由两层同心的碳管组成，既保留了单壁碳纳米管的优异导电性能，又具有更高的机械强度和热稳定性。

2、在过去的研究中，以单壁碳纳米管作为沟道的场效应管已经展现出其在高性能、低功耗电子器件中的应用前景。然而，这类场效应管在实际应用中面临一些挑战，特别是界面特性、接触电阻、材料的均一性、尺寸需更小化等问题。

3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于克服上述
技术介绍
的缺陷，提供一种基于单根双壁碳纳米管结构的三极管器件及其制作方法。

2、为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：

3、一种基于单根双壁碳纳米管结构的三本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于单根双壁碳纳米管结构的三极管器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基于单根双壁碳纳米管结构的三极管器件，其特征在于，所述双壁碳纳米管具有手性（n, m），m=0或者n-m≠3q，其中n和m为整数，q为整数，且n>m。

3.一种如权利要求1至2任一项所述的基于单根双壁碳纳米管结构的三极管器件的制作方法，其特征在于，包括：

4.如权利要求3所述的基于单根双壁碳纳米管结构的三极管器件的制作方法，其特征在于，所述将电极组装于所述源极、所述漏极和所述栅极上具体包括：采用原子级制造方法，电子束光刻，根据所设计电极进行曝光，显影后在曝光区...

【技术特征摘要】

1.一种基于单根双壁碳纳米管结构的三极管器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基于单根双壁碳纳米管结构的三极管器件，其特征在于，所述双壁碳纳米管具有手性（n, m），m=0或者n-m≠3q，其中n和m为整数，q为整数，且n>m。

3.一种如权利要求1至2任一项所述的基于单根双壁碳纳米管结构的三极管器件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱正芳，林俏露，王任衡，戴翔宇，梁豪，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：